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Transistores electrónicos de la parada de campo del foso de los circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

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Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

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Transistores electrónicos de la parada de campo del foso de los circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Transistores electrónicos de la parada de campo del foso de los circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT
Transistores electrónicos de la parada de campo del foso de los circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Ampliación de imagen :  Transistores electrónicos de la parada de campo del foso de los circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IKW30N65ET7XKSA1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-3
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistores electrónicos de la parada de campo del foso de los circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Descripción
Número de parte: IKW30N65ET7XKSA1 VCE: 650 V
Temperatura de almacenamiento: -55 - °C 150 Temperatura que suelda: °C 260
Resistencia termal: 40 K/W voltaje del Puerta-emisor: ±20 V

Transistores electrónicos de la parada de campo del foso de los circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

 

Descripción de producto de IKW30N65ET7XKSA1

IKW30N65ET7XKSA1 es un cortocircuito eficiente IGBT discreto rugoso que proporciona por lo menos un voltaje de saturación más bajo del 10% que otros.

 

Especificación de IKW30N65ET7XKSA1

Número de parte

IKW30N65ET7XKSA1

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 30A

Poder - máximo

188 W

Energía que cambia

590µJ (encendido), 500µJ (apagado)


Características de IKW30N65ET7XKSA1

  • EMI reducida

  • Diseño robusto de la humedad

  • Diodo antiparalelo de la recuperación muy suave, rápida

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte

Paquete

MSC035SMA070B4

TO-247-4

QH8MA4TCR

DFN8

S25FL128SAGMFMR00

SOP16

S25FL064LABMFV011

SOP8

CY15B108QI-20LPXC

QFN

CY15B104QI-20LPXC

DIP8

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)