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Sola parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT de IGBTs 1200V

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Sola parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT de IGBTs 1200V

Sola parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT de IGBTs 1200V
Sola parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT de IGBTs 1200V

Ampliación de imagen :  Sola parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT de IGBTs 1200V

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IKW40N120CH7XKSA1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-3
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Sola parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT de IGBTs 1200V

Descripción
Número de parte: IKW40N120CH7XKSA1 IFpuls máximo: 165A
Ptot (@ TA=25°C) máximo: 330 W QGate: 290 nC
Qrr: 3250 nC Frecuencia que cambia (mínimo, máximo): 16 kilociclos 100 kilociclos

Sola parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT de IGBTs 1200V

 

Descripción de producto de IKW40N120CH7XKSA1

IKW40N120CH7XKSA1 es Duro-transferencia 1200 V, 40 que UN TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 discreto en tecnología del paquete de TO-247 3pin se ha desarrollado para satisfacer la demanda en los usos que se centraban en la descarbonización tal como fotovoltaico solar, sistemas de alimentación ininterrumpida y cargadores de batería.

 

Especificación de IKW40N120CH7XKSA1

Número de parte IKW40N120CH7XKSA1
Eapagado(Transferencia dura) 2,13 mJ
Een 2,44 mJ
YoC(@ 25°) máximo 82 A
YoC(@ 100°) máximo 67 A
YoCpulsmáximo 160 A
YoFmáximo 66 A


Características de IKW40N120CH7XKSA1

  • Comportamiento que cambia rápido con las emisiones bajas de la EMI
  • Diodo optimizado para los usos de la blanco, dando por resultado Qrr bajo
  • Selección baja del resistor de la puerta posible (abajo a 5 Ω) mientras que comportamiento que cambia excelente que mantiene
  • Tj de ofrecimiento (máximo) del °C 175

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
ISO6721FQDWVRQ1 SOP-8
ADUM1285BRZ SOP8
ADUM4401CRWZ SOP16
ADUM7441CRQZ QSOP16
ADUM7442ARQZ QSOP-16
ADUM1251WARZ SOP-8

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

 

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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