Microprocesador TO-247-3 650V del circuito integrado de la parada de campo del foso de IGBT IKW40N65ET7XKSA1

Microprocesador TO-247-3 650V del circuito integrado de la parada de campo del foso de IGBT IKW40N65ET7XKSA1

Descripción de producto de IKW40N65ET7XKSA1

IKW40N65ET7XKSA1 es la Duro-transferencia 650 V, 40 Un IGBT con el diodo antiparalelo en el paquete TO-247. Esta gama optimizada funcionamiento de la parte tiene controlabilidad superior para la mejor EMI mientras que cambian las pérdidas son más bajas que las tecnologías anteriores.

Especificación de IKW40N65ET7XKSA1

Características de IKW40N65ET7XKSA1

• EMI reducida
• VCEsat bajo mismo
• Corriente corta de la cola
• Pérdidas bajas de la vuelta-apagado
• Diseño robusto de la humedad
• Temperatura de empalme máxima 175°C
• galjanoplastia Pb-libre de la ventaja; RoHS obediente
• Diodo antiparalelo de la recuperación muy suave, rápida
• Calificado según JEDEC para los usos de la blanco

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FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.