Parada de campo del foso del chip CI IKW08N120CS7XKSA1 1200V 21A 106W IGBT a través del agujero

Parada de campo del foso del chip CI IKW08N120CS7XKSA1 1200V 21A 106W IGBT a través del agujero

Descripción de producto de IKW08N120CS7XKSA1

El dispositivo IKW08N120CS7XKSA1 tiene una carga baja QG de la puerta y co-se embala con un emisor suave rápido de la recuperación controlado por 3 diodos.

Especificación de IKW08N120CS7XKSA1

Características de IKW08N120CS7XKSA1

• Aumente el margen de la sobretensión en el uso

• Reducción del número de dispositivos sidos paralelo a requeridos

• Diseño simple de la impulsión de la puerta

Otros tipos de producto de la fuente

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.