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Microprocesador del circuito integrado de los transistores BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET del poder

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Microprocesador del circuito integrado de los transistores BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET del poder

Microprocesador del circuito integrado de los transistores BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET del poder
Power MOSFET Transistors BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN Integrated Circuit Chip
Microprocesador del circuito integrado de los transistores BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET del poder Microprocesador del circuito integrado de los transistores BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET del poder

Ampliación de imagen :  Microprocesador del circuito integrado de los transistores BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET del poder

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: BSZ050N03LSGATMA1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: 8-PowerTDFN
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Microprocesador del circuito integrado de los transistores BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET del poder

Descripción
Número de parte: BSZ050N03LSGATMA1 Paladio - disipación de poder: 50W
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 35 nC @ 10 V IDpuls (máximo): 160 A
Tecnología: MOSFET (óxido de metal) Qg - carga de la puerta: 26 nC

Microprocesador del circuito integrado de los transistores BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET del poder

 

Descripción de producto de BSZ050N03LSGATMA1

BSZ050N03LSGATMA1 extremadamente - las cargas bajas de la puerta y de la salida, combinadas con tamaño de la en-resistencia muy baja y del pequeño paquete, toman OptiMOS™ 25V la mejor decisión para el servidor exigente, el datacom, y las soluciones del regulador de voltaje de la comunicación.

 

Especificación de BSZ050N03LSGATMA1

Número de parte BSZ050N03LSGATMA1
Tipo del FET
Canal N
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
30 V
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
35 nC @ 10 V


Características de BSZ050N03LSGATMA1

  • Reduce apagón
  • Extremadamente - carga baja de la puerta y de la salida
  • El funcionamiento mejorado de la EMI, ninguna red externa del almacenador intermediario requirió

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
1473565-4 SMD
BCM54618SEA2KFBG BGA
MCC225-16IO1 Módulo
SP3072EEN SOP8
SI2151-A10 QFN24
CY7C1354CV25-200AXC TQFP100

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

 

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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