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Soporte superficial de los transistores IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 del canal N 650V 21A 114W

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Soporte superficial de los transistores IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 del canal N 650V 21A 114W

Soporte superficial de los transistores IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 del canal N 650V 21A 114W
Soporte superficial de los transistores IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 del canal N 650V 21A 114W Soporte superficial de los transistores IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 del canal N 650V 21A 114W

Ampliación de imagen :  Soporte superficial de los transistores IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 del canal N 650V 21A 114W

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IPB65R115CFD7AATMA1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-263-3
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Soporte superficial de los transistores IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 del canal N 650V 21A 114W

Descripción
Número de parte: IPB65R115CFD7AATMA1 Voltaje de la impulsión: 10V
Drene al voltaje de la fuente: 650 V Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 4.5V @ 490µA Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 41 nC @ 10 V

Soporte superficial de los transistores IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 del canal N 650V 21A 114W

 

Descripción de producto de IPB65R115CFD7AATMA1

IPB65R115CFD7AATMA1 prevé un diodo rápido integrado del cuerpo y se puede utilizar para PFC y las topologías que cambian resonantes como el fll-puente del defasaje de ZVS y el LLC.

 

Especificación de IPB65R115CFD7AATMA1

Número de parte

IPB65R115CFD7AATMA1

Vgs (máximo)

±20V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds

1950 PF @ 400 V

Disipación de poder (máxima)

114W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)


Características de IPB65R115CFD7AATMA1

  • La última tecnología calificada automotriz 650V con el diodo rápido integrado del cuerpo en el mercado que ofrece Qm ultrabajo.

  • El *Qg más bajo de FOM ROS (encendido) y *Eoss del ROS (encendido)

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte

Paquete

LCMXO3D-9400ZC-3SG72C

QFN72

LCMXO3L-9400C-5BG484C

QFN72

LCMXO3L-1300C-5BG256I

BGA256

LCMXO3L-9400C-5BG256C

BGA256

LCMXO3L-4300E-5MG121C

BGA

LCMXO3L-9400E-5BG256C

BGA256

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

 

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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