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Transistores del canal N del carburo de silicio del MOSFET del chip CI NTH4L020N090SC1 484W

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Transistores del canal N del carburo de silicio del MOSFET del chip CI NTH4L020N090SC1 484W

Transistores del canal N del carburo de silicio del MOSFET del chip CI NTH4L020N090SC1 484W
Transistores del canal N del carburo de silicio del MOSFET del chip CI NTH4L020N090SC1 484W

Ampliación de imagen :  Transistores del canal N del carburo de silicio del MOSFET del chip CI NTH4L020N090SC1 484W

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: NTH4L020N090SC1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-4
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistores del canal N del carburo de silicio del MOSFET del chip CI NTH4L020N090SC1 484W

Descripción
Número de parte: NTH4L020N090SC1 Tecnología: SiCFET (carburo de silicio)
Tipo del FET: Canal N Situación del producto: Activo
Montaje del tipo: A través del agujero Disipación de poder: 484W (Tc)

Transistores del canal N del carburo de silicio del MOSFET del chip CI NTH4L020N090SC1 484W

 

Descripción de producto de NTH4L020N090SC1

NTH4L020N090SC1 es MOSFET de 1700V EliteSiC proporciona el funcionamiento confiable, de gran eficacia para la infraestructura de la energía y usos industriales de la impulsión.

 

Especificación de NTH4L020N090SC1

Número de parte

NTH4L020N090SC1

Situación del producto

Activo

Tipo del FET

Canal N

Tecnología

SiCFET (carburo de silicio)

Drene al voltaje de la fuente (Vdss)

900 V


Características de NTH4L020N090SC1

  • Tipo. RDS (encendido) = 20 m @ VGS = 15 V

  • Tipo. RDS (encendido) = 16 m @ VGS = 18 V

  • Carga ultrabaja de la puerta (QG (bebé) = 196 nC)

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte

Paquete

NCP1012AP133G

DIP-7

CY8CLED04-68LFXI

QFN

CY2308SXC-2T

SOP16

CY7C1019CV33-15VI

SOJ32

MTD6502B

TDFN10

XQ4062XL-3CB228M

CQFP228

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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