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Transistores superficiales del soporte 12-WQFN del arsenal 40V 15A del Mosfet de NTTFD4D0N04HLTWG

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Transistores superficiales del soporte 12-WQFN del arsenal 40V 15A del Mosfet de NTTFD4D0N04HLTWG

Transistores superficiales del soporte 12-WQFN del arsenal 40V 15A del Mosfet de NTTFD4D0N04HLTWG
Transistores superficiales del soporte 12-WQFN del arsenal 40V 15A del Mosfet de NTTFD4D0N04HLTWG Transistores superficiales del soporte 12-WQFN del arsenal 40V 15A del Mosfet de NTTFD4D0N04HLTWG

Ampliación de imagen :  Transistores superficiales del soporte 12-WQFN del arsenal 40V 15A del Mosfet de NTTFD4D0N04HLTWG

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: NTTFD4D0N04HLTWG
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: 12-WQFN
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistores superficiales del soporte 12-WQFN del arsenal 40V 15A del Mosfet de NTTFD4D0N04HLTWG

Descripción
Número de parte: NTTFD4D0N04HLTWG Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Configuración: Canal N 2 (dual) Poder - máximo: 1.7W (TA), 26W (Tc)
Montaje del tipo: Soporte superficial Carga de la puerta: 18 nC

Transistores superficiales del soporte 12-WQFN del arsenal 40V 15A del Mosfet de NTTFD4D0N04HLTWG

 

Descripción de producto de NTTFD4D0N04HLTWG

El dispositivo de NTTFD4D0N04HLTWG incluye dos MOSFETs especializados de N−Channel en un paquete dual.

 

Especificación de NTTFD4D0N04HLTWG

Número de parte

NTTFD4D0N04HLTWG

Identificación de Vgs (th) (máximo) @

2V @ 50µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds

1100pF @ 20V

Poder - máximo

1.7W (TA), 26W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

 

Características de NTTFD4D0N04HLTWG

  • RDS máximo (encendido) = 4,5 m en VGS = 10 V, identificación = 10 A

  • RDS máximo (encendido) = 7 m en VGS = 4,5, identificación = 8,0 A

  • El empaquetado de baja inductancia acorta tiempos de la subida/caída, dando por resultado pérdidas que cambian más bajas

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte

Paquete

IKCM30F60GD

MÓDULO

EPM570GF256C5N

BGA

NTTFS4928NTAG

WDFN-8

DIR9001IPWRQ1

TSSOP28

AAT1145IDE-0.6

TDFN33-10

TPS65181BRGZR

VQFN-48

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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