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Transistores TO-220-3 del canal N del microprocesador NTP055N65S3H del circuito integrado a través del agujero

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Transistores TO-220-3 del canal N del microprocesador NTP055N65S3H del circuito integrado a través del agujero

Transistores TO-220-3 del canal N del microprocesador NTP055N65S3H del circuito integrado a través del agujero
Transistores TO-220-3 del canal N del microprocesador NTP055N65S3H del circuito integrado a través del agujero Transistores TO-220-3 del canal N del microprocesador NTP055N65S3H del circuito integrado a través del agujero

Ampliación de imagen :  Transistores TO-220-3 del canal N del microprocesador NTP055N65S3H del circuito integrado a través del agujero

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: NTP055N65S3H
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-220-3
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistores TO-220-3 del canal N del microprocesador NTP055N65S3H del circuito integrado a través del agujero

Descripción
Número de parte: NTP055N65S3H Tiempo de retraso de abertura típico: 30 ns
Serie: SuperFET® III Qg - carga de la puerta: 96 nC
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 650 V Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 90 ns

Transistores TO-220-3 del canal N del microprocesador NTP055N65S3H del circuito integrado a través del agujero

 

Descripción de producto de NTP055N65S3H

NTP055N65S3H es la familia de alto voltaje del MOSFET del estupendo-empalme (SJ) que está utilizando la tecnología de la balanza de la carga para la en-resistencia baja excepcional y un funcionamiento más bajo de la carga de la puerta.

 

Especificación de NTP055N65S3H

Número de parte: NTP055N65S3H
305 W
Aumento
SuperFET III
SuperFET3
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 2,8 ns
Transconductancia delantera - minuto: 52 S

 

Características de NTP055N65S3H

  • Tipo. RDS (encendido) = 45 m
  • La avalancha 100% probó
  • Carga ultrabaja de la puerta (tipo. Qg = 96 nC)
  • 700 V @ TJ = 150°C
  • Capacitancia de salida eficaz baja (tipo. Coss (efectividad) = 880 PF)

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
SP509CF TQFP-100P
ST16C550CQ48 TQFP48
PM5420C FCBGA1517
PEX8311-AA66Because PBGA-337
LFXP2-17E-5FN484C BGA484
SKY87006-11-001 WLCSP-9

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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