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Microprocesador del circuito integrado de la parada de campo del foso de los transistores RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Name: Microprocesador del circuito integrado de la parada de campo del foso de los transistores RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: RGT40TS65DGC13
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Microprocesador del circuito integrado de la parada de campo del foso de los transistores RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Ampliación de imagen : Microprocesador del circuito integrado de la parada de campo del foso de los transistores RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	RGT40TS65DGC13

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	TO-247-3
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Microprocesador del circuito integrado de la parada de campo del foso de los transistores RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Descripción

Número de parte:	RGT40TS65DGC13	Paladio - disipación de poder:	144W
Corriente delantera del diodo (TC = 25°C):	35A	Corriente de la salida del Puerta-emisor:	nA 200
Corriente delantera pulsada diodo:	60A	Colector - voltaje del emisor:	650V

Microprocesador del circuito integrado de la parada de campo del foso de los transistores RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Descripción de producto de RGT40TS65DGC13

RGT40TS65DGC13 es transistores del foso IGBT de la parada de campo de 650V 20A, paquete es TO-247-3, a través de agujero.

Especificación de RGT40TS65DGC13

Número de parte	RGT40TS65DGC13
Tipo de IGBT	Parada de campo del foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)	650 V
Actual - colector (Ic) (máximo)	40 A
Actual - colector pulsado (Icm)	60 A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 20A
Poder - máximo	144 W
Tipo entrado	Estándar
Carga de la puerta	40 nC
TD (con./desc.) @ 25°C	22ns/75ns
Condición de prueba	400V, 20A, 10Ohm, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr)	58 ns
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)

Características de RGT40TS65DGC13

Colector bajo - voltaje de saturación del emisor
Pérdida que cambia baja
El cortocircuito soporta el tiempo 5μs
Construido en la recuperación rápida y suave misma FRD (RFN - series)
Pb - galjanoplastia libre de la ventaja; RoHS obediente

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte	Paquete
DBS400B05	Módulo
MAX14607EWL	WLP9
RF3225	QFN
TPS51610RHBT	VQFN-32
FXTH8705116T1	QFN-24
FXTH870502DT1	QFN-24

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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