Microprocesador del circuito integrado de la parada de campo del foso de los transistores STGWA20H65DFB2 de IGBT TO-247-3

Microprocesador del circuito integrado de la parada de campo del foso de los transistores STGWA20H65DFB2 de IGBT TO-247-3

Descripción de producto de STGWA20H65DFB2

STGWA20H65DFB2 es la campo-parada de la puerta del foso, 650 V, 20 A, HB2 serie de alta velocidad IGBT en a al paquete largo de las ventajas del ‑ 247.

Especificación de STGWA20H65DFB2

Características de STGWA20H65DFB2

• Temperatura de empalme máxima: TJ = °C 175
• VCE bajo (sentado) = 1,65 V (tipo.) @ IC = 20 A
• Y suave diodo co-embalado recuperación muy rápida
• Corriente minimizada de la cola
• Distribución apretada del parámetro
• Resistencia termal baja
• Coeficiente de temperatura positivo de VCE (se sentó)

Otros componentes electrónicos en existencia

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.