Transistores automotrices 650V del grado IGBT del microprocesador STG200M65F2D8AG del circuito integrado

Transistores automotrices 650V del grado IGBT del microprocesador STG200M65F2D8AG del circuito integrado

Descripción de producto de STG200M65F2D8AG

STG200M65F2D8AG es el Automotriz-grado 650V, serie IGBT de pequeñas pérdidas de la campo-parada M de la puerta del foso 200A muere en el embalaje D8.

Especificación de STG200M65F2D8AG

Características de STG200M65F2D8AG

• Serie de pequeñas pérdidas IGBT
• VCE bajo (sentado) = 1,55 V (tipo.) en IC = 200 A
• Coeficiente de temperatura positivo de VCE (se sentó)
• Distribución apretada del parámetro
• Temperatura de empalme máxima: TJ = °C 175
• tiempo que soporta del cortocircuito mínimo de 6 µs en TJ = 150°C

Otros componentes electrónicos en existencia

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.