Transistores electrónicos del canal N 650 V 45A de los circuitos integrados SCTW35N65G2V

Transistores electrónicos del canal N 650 V 45A de los circuitos integrados SCTW35N65G2V

Descripción de producto de SCTW35N65G2V

El dispositivo del MOSFET del poder del carburo de silicio de SCTW35N65G2V se ha desarrollado usando tecnología avanzada e innovadora del MOSFET de la 2da generación sic.

Especificación de SCTW35N65G2V

Características de SCTW35N65G2V

• Diodo intrínseco muy rápido y robusto del cuerpo

• Extremadamente - carga de la puerta y capacitancia bajas de la entrada

• Capacidad de funcionamiento muy alta de la temperatura de empalme (TJ =200°C)

Otros componentes electrónicos en existencia

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden