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Transistores del MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCTWA60N120G2-4 del circuito integrado

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Transistores del MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCTWA60N120G2-4 del circuito integrado

Transistores del MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCTWA60N120G2-4 del circuito integrado
Transistores del MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCTWA60N120G2-4 del circuito integrado Transistores del MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCTWA60N120G2-4 del circuito integrado

Ampliación de imagen :  Transistores del MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCTWA60N120G2-4 del circuito integrado

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: SCTWA60N120G2-4
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-4
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistores del MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCTWA60N120G2-4 del circuito integrado

Descripción
Número de parte: SCTWA60N120G2-4 Voltaje de avería de la Dren-fuente: 1,2 kilovoltios
Corriente continua del dren: 60 A Voltaje de la Puerta-fuente: Voltaje de la Puerta-fuente
Voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 3 V Disipación de poder: 388 W

Transistores del MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCTWA60N120G2-4 del circuito integrado

 

Descripción de producto de SCTWA60N120G2-4

El MOSFET del poder del canal N SCTWA60N120G2-4 es un MOSFET muy de alto voltaje del poder del canal N diseñado usando la última tecnología de MDmesh K6.

 

Especificación de SCTWA60N120G2-4

Número de parte

SCTWA60N120G2-4

- 10 V, + 22 V

3 V

94 nC

- 55 C

+ 200 C

 

Usos de SCTWA60N120G2-4

  • Fuente de alimentación del modo que cambia

  • Convertidores de DC-DC

  • Control de motor industrial

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte

Paquete

GS2974BCNE3

QFN16

GS2975ACNE3

QFN

GS2978CNE3

QFN16

GS2984

QFN

GS4910BCNE3

QFN

LT3579EFE

HTSSOP20

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden
 

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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