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Transistores TO-247-4L del MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N NTH4L040N120SC1

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Transistores TO-247-4L del MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N NTH4L040N120SC1

Transistores TO-247-4L del MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N NTH4L040N120SC1
Transistores TO-247-4L del MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N NTH4L040N120SC1 Transistores TO-247-4L del MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N NTH4L040N120SC1

Ampliación de imagen :  Transistores TO-247-4L del MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N NTH4L040N120SC1

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: NTH4L040N120SC1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-4L
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistores TO-247-4L del MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N NTH4L040N120SC1

Descripción
Número de parte: NTH4L040N120SC1 Disipación de poder (máxima): 319W (Tc)
Montaje del tipo: A través del agujero Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200 V
Tecnología: SiCFET (carburo de silicio) Modo del canal: Aumento

Transistores TO-247-4L del MOSFET de poder del carburo de silicio del canal N NTH4L040N120SC1

 

Descripción del producto deNTH4L040N120SC1

NTH4L040N120SC1 es 1200V 58A(Tc) 319W (Tc) Transistores MOSFET de potencia de carburo de silicio de canal N, el paquete es TO-247-4L.

 

Especificación deNTH4L040N120SC1

Número de parte NTH4L040N120SC1
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
56mOhm @ 35A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4,3 V a 10 mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
106 nC a 20 V
Vgs (Máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1762 pF a 800 V

 

Caracteristicas deNTH4L040N120SC1

  • TJ = 175°C
  • tip.RDS (encendido) = 40 m
  • 100 % probado en avalanchas
  • Carga de puerta ultrabaja (QG(tot) = 106 nC)
  • Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia (Coss = 137 pF)
  • Este dispositivo está libre de plomo y cumple con RoHS

 

Otros componentes electrónicos en stock

Número de parte Paquete
BQ24192RGER VQFN24
LXT388LE QFP100
ADUM7440CRQZ QSOP-16
SMP8674A00 BGA
SMP8675A00 BGA
SMP8675B00 BGA

 

Preguntas más frecuentes

P: ¿sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nuestro objetivo es la nueva importación original.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?
R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
P: ¿Cómo enviar mi pedido?¿Es seguro?
R: Usamos envíos exprés, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su transportista sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas en existencia dentro de los 5 días hábiles. Si no hay existencias, le confirmaremos el tiempo de entrega en función de la cantidad de su pedido.
 
 

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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