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1200V MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N del MOSFET SCTWA50N120 a través del agujero HiP247

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
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—— Nishikawa de Japón

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1200V MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N del MOSFET SCTWA50N120 a través del agujero HiP247

1200V MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N del MOSFET SCTWA50N120 a través del agujero HiP247
1200V MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N del MOSFET SCTWA50N120 a través del agujero HiP247

Ampliación de imagen :  1200V MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N del MOSFET SCTWA50N120 a través del agujero HiP247

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: SCTWA50N120
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-3
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

1200V MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N del MOSFET SCTWA50N120 a través del agujero HiP247

Descripción
Número de parte: SCTWA50N120 Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 52 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 10 V, + 25 V Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 1,8 V
Qg - carga de la puerta: 122 nC Paladio - disipación de poder: 318 W

1200V MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N del MOSFET SCTWA50N120 a través del agujero HiP247

 

Descripción de producto de SCTWA50N120

MOSFET 1200 V, 65 A, mΩ 59 (tipo del poder del carburo de silicio SCTWA50N120., °C) TJ=150 en un paquete largo de las ventajas de HiP247™.

 

Especificación de SCTWA50N120

Número de parte: SCTWA50N120 Tipo del FET: Canal N
Tecnología: SiCFET (carburo de silicio) Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 65A (Tc) Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 20V


Características de SCTWA50N120

  • Variación muy apretada de la en-resistencia vs.temperature
  • Capacidad de funcionamiento muy alta de la temperatura de empalme (TJ = °C) 200
  • Diodo intrínseco muy rápido y robusto del cuerpo
  • Capacitancia baja

 

Usos de SCTWA50N120

  • Inversores solares, UPS
  • Impulsiones del motor
  • Convertidores de alto voltaje de DC-DC
  • Fuentes de alimentación del modo del interruptor

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte Paquete
A4970GLBTR SOP24
88E1310 QFN48
A4980KLPTR HTSSOP-28
EFM32GG290F1024G 112-BGA
EN2340QI QFN68
EN5337QI QFN38

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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