Transistores electrónicos del canal N de los circuitos integrados SCTW35N65G2VAG a través del agujero

Transistores electrónicos del canal N de los circuitos integrados SCTW35N65G2VAG a través del agujero

Descripción de producto de SCTW35N65G2VAG

SCTW35N65G2VAG es MOSFET 650 V, 45 A, 55 transistores del poder del carburo de silicio del Automotriz-grado del mΩ.

Especificación de SCTW35N65G2VAG

Características de SCTW35N65G2VAG

• AEC-Q101 calificó

• Diodo intrínseco muy rápido y robusto del cuerpo

• Capacitancia baja

Otros tipos de producto de la fuente

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.