Transistores TO-247-3 del canal N del carburo de silicio SCTWA30N120 a través del agujero

Transistores TO-247-3 del canal N del carburo de silicio SCTWA30N120 a través del agujero

Descripción de producto de SCTWA30N120

El MOSFET del poder del carburo de silicio SCTWA30N120 se produce que explota las propiedades avanzadas, innovadoras de los materiales anchos del bandgap.

Especificación de SCTWA30N120

Usos de SCTWA30N120

• Impulsiones del motor

• Cargadores de EV

• Convertidores de alto voltaje de DC-DC

• Fuentes de alimentación del modo del interruptor

Otros tipos de producto de la fuente

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.