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Transistores TO-247-3 del canal N del microprocesador SCT2280KEGC11 del circuito integrado a través del agujero

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Transistores TO-247-3 del canal N del microprocesador SCT2280KEGC11 del circuito integrado a través del agujero

Transistores TO-247-3 del canal N del microprocesador SCT2280KEGC11 del circuito integrado a través del agujero
Transistores TO-247-3 del canal N del microprocesador SCT2280KEGC11 del circuito integrado a través del agujero Transistores TO-247-3 del canal N del microprocesador SCT2280KEGC11 del circuito integrado a través del agujero

Ampliación de imagen :  Transistores TO-247-3 del canal N del microprocesador SCT2280KEGC11 del circuito integrado a través del agujero

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: SCT2280KEGC11
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-3
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistores TO-247-3 del canal N del microprocesador SCT2280KEGC11 del circuito integrado a través del agujero

Descripción
Número de parte: SCT2280KEGC11 Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 14A (Tc)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 36 nC @ 18 V Disipación de poder (máxima): 108W (Tc)
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 6 V, + 22 V Paladio - disipación de poder: 108 W

Transistores TO-247-3 del canal N del microprocesador SCT2280KEGC11 del circuito integrado a través del agujero

 

Descripción de producto de SCT2280KEGC11

SCT2280KEGC11 es canal N sic acciona los transistores del MOSFET. Velocidad que cambia rápida y recuperación reversa rápida.

 

Especificación de SCT2280KEGC11

Número de parte: SCT2280KEGC11 Paquete/caso: TO-247-3
Modo del canal: Aumento Montaje del tipo: A través del agujero
Tecnología: SiCFET (carburo de silicio) Identificación - corriente continua del dren: 14A

 

Disipación de poder que reduce la capacidad normal de la curva de SCT2280KEGC11

Transistores TO-247-3 del canal N del microprocesador SCT2280KEGC11 del circuito integrado a través del agujero 0

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
REF3325AIDBZR SOT23-3
ICL3221ECA SOT23-3
NCS2211DR2G TSSOP16
NCV8402ASTT1G SOT-223
LTC5507ES6 SOT23-6
ADG779BKSZ SC70-6

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.
   

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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