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Transistores del canal N 650V 21A TO-247-3 del microprocesador SCT3120ALHRC11 del circuito integrado

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Transistores del canal N 650V 21A TO-247-3 del microprocesador SCT3120ALHRC11 del circuito integrado

Transistores del canal N 650V 21A TO-247-3 del microprocesador SCT3120ALHRC11 del circuito integrado
Transistores del canal N 650V 21A TO-247-3 del microprocesador SCT3120ALHRC11 del circuito integrado Transistores del canal N 650V 21A TO-247-3 del microprocesador SCT3120ALHRC11 del circuito integrado

Ampliación de imagen :  Transistores del canal N 650V 21A TO-247-3 del microprocesador SCT3120ALHRC11 del circuito integrado

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: SCT3120ALHRC11
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-3
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistores del canal N 650V 21A TO-247-3 del microprocesador SCT3120ALHRC11 del circuito integrado

Descripción
Número de parte: SCT3120ALHRC11 Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 460 PF @ 500 V
Disipación de poder: 103W Temperatura de funcionamiento: 175°C (TJ)
Modo del canal: Aumento Configuración: Solo

Transistores del canal N 650V 21A TO-247-3 del microprocesador SCT3120ALHRC11 del circuito integrado

 

Descripción de producto de SCT3120ALHRC11

Los MOSFETs del poder del canal N SCT3120ALHRC11 permiten capacidad de dirección de gran intensidad con resistencia reducida del paquete. Los componentes SCT3120ALHRC11 proporcionan la capacitancia baja simultánea de la carga de la En-resistencia y de la puerta, minimizando pérdida de energía.

 

Especificación de SCT3120ALHRC11

Número de parte

SCT3120ALHRC11

Tipo del FET

Canal N

Tecnología

SiCFET (carburo de silicio)

Drene al voltaje de la fuente (Vdss)

650 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C

21A (Tc)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)

18V

 

Características de SCT3120ALHRC11

  • Calificado a AEC-Q101

  • En-resistencia baja

  • Velocidad que cambia rápida

  • Recuperación reversa rápida

  • Fácil ser paralelo a

  • Simple conducir

  • galjanoplastia Pb-libre de la ventaja; RoHS obediente

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte

Paquete

IPU50R3K0CE

TO-251

IPS65R650CE

TO-251

IPSA70R2K0CE

TO-251

IPU60R3K4CE

TO-251

IPD60R3K4CE

TO-251

DRV8800PWPR

HTSSOP-16

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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