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Transistores 60V LFPAK56 de los MOSFETs del P-canal del microprocesador BUK6Y61-60PX del circuito integrado

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
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—— Nishikawa de Japón

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Transistores 60V LFPAK56 de los MOSFETs del P-canal del microprocesador BUK6Y61-60PX del circuito integrado

Transistores 60V LFPAK56 de los MOSFETs del P-canal del microprocesador BUK6Y61-60PX del circuito integrado
Transistores 60V LFPAK56 de los MOSFETs del P-canal del microprocesador BUK6Y61-60PX del circuito integrado

Ampliación de imagen :  Transistores 60V LFPAK56 de los MOSFETs del P-canal del microprocesador BUK6Y61-60PX del circuito integrado

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: BUK6Y61-60PX
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: LFPAK56
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistores 60V LFPAK56 de los MOSFETs del P-canal del microprocesador BUK6Y61-60PX del circuito integrado

Descripción
Número de parte: BUK6Y61-60PX Identificación - corriente continua del dren: 25A
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 20 V, + 20 V Qg - carga de la puerta: 20 nC
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 3 V Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 61 mOhms

Transistores 60V LFPAK56 de los MOSFETs del P-canal del microprocesador BUK6Y61-60PX del circuito integrado

 

Descripción de producto de BUK6Y61-60PX

BUK6Y61-60PX es 60V, transistores del MOSFET del foso del P-canal. MOSFET del modo del aumento del P-canal en (poder SO8) un paquete plástico Superficie-montado del dispositivo LFPAK56 (SMD) usando tecnología del MOSFET del foso.

 

Especificación de BUK6Y61-60PX

Número de parte: BUK6Y61-60PX
Si
SMD/SMT
LFPAK-56-4
P-canal
1 canal
60 V


Características de BUK6Y61-60PX

  • Alta capacidad de la disipación de poder termal
  • Conveniente para los ambientes termalmente exigentes debido al grado de 175 °C
  • Tecnología del MOSFET del foso
  • AEC-Q101 calificó

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
NRF52832-QFAA-G-R7 48-VFQFN
NRF52811-QFAA-B-R7 48-VFQFN
NRF52810-CAAA-E-R7 WLCSP-33
NRF52811-CAAA-B-R7 WLCSP-33
NRF52833-QDAA-B-R7 40-VFQFN
NRF52840-QIAA-F-R 73-VFQFN

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

 

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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