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MOSFETs de los transistores LFPAK56 del canal N del microprocesador BUK9Y6R5-40HX 40V del circuito integrado

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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MOSFETs de los transistores LFPAK56 del canal N del microprocesador BUK9Y6R5-40HX 40V del circuito integrado

MOSFETs de los transistores LFPAK56 del canal N del microprocesador BUK9Y6R5-40HX 40V del circuito integrado
MOSFETs de los transistores LFPAK56 del canal N del microprocesador BUK9Y6R5-40HX 40V del circuito integrado

Ampliación de imagen :  MOSFETs de los transistores LFPAK56 del canal N del microprocesador BUK9Y6R5-40HX 40V del circuito integrado

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: BUK9Y6R5-40HX
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: LFPAK56
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

MOSFETs de los transistores LFPAK56 del canal N del microprocesador BUK9Y6R5-40HX 40V del circuito integrado

Descripción
Número de parte: BUK9Y6R5-40HX Serie: Automotriz, AEC-Q101
Tipo del FET: Canal N Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 40 V Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 70A (TA)

MOSFETs de los transistores LFPAK56 del canal N del microprocesador BUK9Y6R5-40HX 40V del circuito integrado

 

Descripción de producto de BUK9Y6R5-40HX

BUK9Y6R5-40HX es los transistores del canal N, 40 V, MOSFET del nivel de la lógica de 6,5 mΩ en LFPAK56.

 

Especificación de BUK9Y6R5-40HX

Número de parte BUK9Y6R5-40HX
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.15V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
2036 PF @ 25 V


Características de BUK9Y6R5-40HX

  • grado de 175 °C conveniente para los ambientes termalmente exigentes
  • Tecnología de Superjunction del foso 9
  • Capacidad mejorada de SOA y de la avalancha comparada a TrenchMOS estándar
  • La echada reducida de la célula permite densidad y eficacia aumentadas de poder con un RDSon más bajo en la misma huella

 

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Número de parte Paquete
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FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

 

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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