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Soporte de la superficie de los transistores LFPAK88 del MOSFET del canal N de los transistores BUK7S1R5-40HJ 40V

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Soporte de la superficie de los transistores LFPAK88 del MOSFET del canal N de los transistores BUK7S1R5-40HJ 40V

Soporte de la superficie de los transistores LFPAK88 del MOSFET del canal N de los transistores BUK7S1R5-40HJ 40V
Soporte de la superficie de los transistores LFPAK88 del MOSFET del canal N de los transistores BUK7S1R5-40HJ 40V Soporte de la superficie de los transistores LFPAK88 del MOSFET del canal N de los transistores BUK7S1R5-40HJ 40V

Ampliación de imagen :  Soporte de la superficie de los transistores LFPAK88 del MOSFET del canal N de los transistores BUK7S1R5-40HJ 40V

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: BUK7S1R5-40HJ
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: LFPAK88
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Soporte de la superficie de los transistores LFPAK88 del MOSFET del canal N de los transistores BUK7S1R5-40HJ 40V

Descripción
Número de parte: BUK7S1R5-40HJ Tipo del transistor: 1 canal N
Paquete del dispositivo del proveedor: LFPAK88 (SOT1235) Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 6712 PF @ 25 V Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 3,27 mOhms

Soporte de la superficie de los transistores LFPAK88 del MOSFET del canal N de los transistores BUK7S1R5-40HJ 40V

 

Descripción de producto de BUK7S1R5-40HJ

Transistores del canal N de BUK7S1R5-40HJ, 40 V, MOSFET estándar del nivel de 1,5 mΩ en LFPAK88. Este producto se ha diseñado y se ha calificado completamente para encontrarse más allá de los requisitos AEC-Q101 que entregaban alto rendimiento y confiabilidad.

 

Especificación de BUK7S1R5-40HJ

Número de parte: BUK7S1R5-40HJ
3,27 mOhms
- 20 V, + 20 V
4,3 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
242 W
Aumento


Características de BUK7S1R5-40HJ

  • Inductancia baja de la fuente
  • Resistencia termal baja Rth
  • 40 tecnología única del superjunction del foso 9 de V
  • Capacidad mejorada de SOA y de la avalancha comparada a TrenchMOS estándar
  • -55 °C a grado de +175 °C conveniente para los ambientes termalmente exigentes
  • Capacidad actual máxima creciente y extensión actual excelente

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
STM32G071KBU6 UFQFPN32
STM32G071C8T6 LQFP-48
STM32G071C8U6 UFQFPN48
STM32G071R8T6 LQFP64
STM32G071RBI6 UFBGA64
STM32G081EBY6 WLCSP25

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.
 

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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