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Datos del producto:
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| Número de parte: | Se aplicará el procedimiento de ensayo. | Vgs (máximo): | ±20V |
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| Disipación de poder (máxima): | 446W (Tc) | Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | A través del agujero | Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles |
| Resaltar: | Se aplicará el procedimiento de ensayo.,Chip de circuito integrado IPW60R017C7,Transistores MOSFET de canal N |
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Chip de circuito integrado IPW60R017C7 600V Transistores MOSFET de canal N TO-247-3
Descripción del producto Se aplicará el procedimiento de ensayo.
IPW60R017C7 La serie MOSFET de superunión (SJ) CoolMOSTM C7 de 600V ofrece una reducción del ~ 50% en las pérdidas de apagado (E oss) en comparación con el CoolMOSTM CP, ofreciendo un nivel de rendimiento excepcional en PFC,TTF y otras topologías de conmutación dura.
Especificación del IPW60R017C7
| Número de la parte | Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
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Tipo de FET
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N-canal
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Tecnología
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MOSFET (óxido metálico)
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Voltagem de salida a la fuente (Vdss)
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Las demás:
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Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C
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Se aplicará el procedimiento siguiente:
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Voltagem de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)
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10 V
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Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Vgs(th) (máximo) @ Id
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4V @ 2,91 mA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Las partidas de la caja de carga deberán estar equipadas con una caja de carga.
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Resumen de las características
Beneficios deSe aplicará el procedimiento de ensayo.
Las aplicaciones potenciales deSe aplicará el procedimiento de ensayo.
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