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IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de potencia con 55 mΩ RDS ((on) y conmutación ultrarrápida para alta eficiencia

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de potencia con 55 mΩ RDS ((on) y conmutación ultrarrápida para alta eficiencia

IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de potencia con 55 mΩ RDS ((on) y conmutación ultrarrápida para alta eficiencia
IGT60R070D1 GaN IC 600V Power Transistor with 55 mΩ RDS(on) and Ultrafast Switching for High Efficiency
IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de potencia con 55 mΩ RDS ((on) y conmutación ultrarrápida para alta eficiencia IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de potencia con 55 mΩ RDS ((on) y conmutación ultrarrápida para alta eficiencia IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de potencia con 55 mΩ RDS ((on) y conmutación ultrarrápida para alta eficiencia

Ampliación de imagen :  IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de potencia con 55 mΩ RDS ((on) y conmutación ultrarrápida para alta eficiencia

Datos del producto:
Lugar de origen: No incluidos
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IGT60R070D1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: PG-HSOF-8-3
Tiempo de entrega: 3-5 días hábiles
Condiciones de pago: TT
Capacidad de la fuente: 10000 piezas por día
Contacto

IGT60R070D1 GaN IC 600V Transistor de potencia con 55 mΩ RDS ((on) y conmutación ultrarrápida para alta eficiencia

Descripción
Número de pieza: IGT60R070D1 ID (@ TA=25°C) máx.: 31 A
IDpuls (@25°C) máx.: 60 A Ptot máximo: 125W
Qg: 5.8 nC RDS (activado) (típico): 55 mΩ

IGT60R070D1 GaN IC IGT60R070D1ATMA4 CoolGaNTM 600V Transistor de potencia en modo E

IGT60R070D1 permite una topología más compacta y una mayor eficiencia en operaciones de mayor frecuencia.Encasillado en el paquete HSOF-8 (sin plomo) enfriado en el lado inferior, está diseñado para una disipación de energía óptima requerida en los modernos centros de datos, servidores, telecomunicaciones, energías renovables y numerosas otras aplicaciones.

Características
  • HEMT en modo E - normalmente apagado
  • Conmutación ultrarrápida
  • No hay cargo por recuperación inversa
  • con una capacidad de conducción inversa
  • Baja carga de puerta, baja carga de salida
  • Robustez de conmutación superior
  • JEDEC calificado (JESD47, JESD22)
  • RDS de baja dinámica (encendido)
  • Frío en la parte inferior
Beneficios
  • Mejora la eficiencia del sistema
  • Mejora la densidad de potencia
  • Permite una mayor frecuencia de funcionamiento
  • Ahorros en la reducción de costes del sistema
  • Reducción de la EMI
Aplicaciones
  • Válvula de tensión media IBC (48 V)
  • Almacenamiento de energía en batería (BESS)
  • Soluciones de suministro de energía para trenes DIN
  • Fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS)
Otros tipos de productos de suministro
Número de la parte Paquete
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar el efecto invernadero.FCBGA161 y sus derivados
STM32WB55VGQ6BGA129
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.BGA
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.BGA
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.BGA-80
El número de unidad de controlMódulo
El número de registro es el siguiente:Módulo
Se trata de un sistema de seguridad.Módulo
Se trata de un sistema de seguridad.Módulo
Se trata de un sistema de seguridad.Módulo
Se trata de un documento de identificación.Módulo
Se trata de un documento de identificación.Módulo
El número de teléfono:Módulo
TPS79333DBVRQ1Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.Las condiciones de los productos
TPS25865QRPQRQ1Número de referencia
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles para su uso.SOP8
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.Se aplicará el código WQFN-24.
TPS79633QDCQRQ1Se trata de un proyecto de investigación.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Las condiciones de los productos
TPS62402QDRCRQ1VON10
TPS76933QDBVRG4Q1 y el resto de los equiposSe aplicará el procedimiento siguiente:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.BGA484
Se aplicará el método de clasificación de los vehículos de las categorías A y B.BGA484
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.BGA256
AIMBG120R040M1 y AIMBG120R040M1 y AIMBG120R040M1Se trata de la siguiente:
AIMBG120R010M1 y AIMBG120R010M1Se trata de la siguiente:
AIMBG120R120M1Se trata de la siguiente:
STM32H747AGI6Se aplican las siguientes condiciones:
STM32H747AII6Se aplican las siguientes condiciones:
Preguntas frecuentes
¿Sus productos son originales?
Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.
¿Qué certificados tiene?
Somos una empresa certificada ISO 9001: 2015 y miembro de ERAI.
¿Puede apoyar el pedido de pequeñas cantidades o la muestra? ¿La muestra es gratuita?
Sí, apoyamos el pedido de muestras y el pedido pequeño. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
¿Cómo envío mi pedido?
Utilizamos el expreso para el envío, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar el transportista sugerido.Los productos estarán en buen embalaje y garantizar la seguridad y somos responsables de los daños del producto a su pedido.
¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
Podemos enviar piezas de stock dentro de 5 días laborables. Si no hay stock, confirmaremos el tiempo de entrega para usted basado en la cantidad de su pedido.

etiqueta:

VQFN54 integró el medio puente Gan Driver,

FET de LMG3422R030RQZR GaN,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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