Chip de circuito integrado GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN en transistores SiC HEMT

Chip de circuito integrado GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN en los transistores SiC HEMT

Descripción del productoEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

GTVA262701FA-V2-R2 es un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) de 270 vatios GaN en SiC para su uso en aplicaciones de amplificadores de potencia celulares multistándar.y un paquete de montaje superficial reforzado térmicamente con brida sin orejas.

EspecificaciónDe lasEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

Características deEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

• Investigación en tecnología SiC HEMT
• Input combinado
• Rendimiento típico de CW pulsado: ancho de pulso de 10 μs, 10% del ciclo de trabajo, 2690 MHz, 48 V
- Potencia de salida a P3dB = 270 W
- Eficiencia = 66%
- Ganancia = 18.1 dB
• Modelo de cuerpo humano Clase 1B (según ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
• Capaz de manejar potencia de salida 10: 1 VSWR @ 48 V, 60 W (WCDMA)
• Libre de Pb y compatible con RoHS

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Preguntas frecuentes
¿Sus productos son originales?
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