PAFSC5G35E37R9 Módulo amplificador de potencia de circuito integrado para LTE y 5G

PAFSC5G35E37R9 Módulo amplificador de potencia de circuito integrado para LTE y 5G

Descripción del producto PAFSC5G35E37R9
El PAFSC5G35E37R9 es un módulo de amplificador de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones 5G y LTE y representa el último estado de la técnica en las tecnologías actuales de RF front-end.El módulo está fabricado utilizando tecnología avanzada de proceso LDMOS (metal oxide lateralmente difuso semiconductor) y pertenece a los modos de funcionamiento de clase AB y clase C., proporcionando una excelente eficiencia de potencia añadida (PAE) y un rendimiento de linealidad.

Desde el punto de vista de los parámetros básicos, el rango de frecuencia de funcionamiento de PAFSC5G35E37R9 abarca 3400MHz a 3600MHz. Esta banda de frecuencia corresponde a la banda de frecuencia n78 (3.3-3.8 GHz) de 5G NR y algunas bandas de frecuencia LTE, lo que lo convierte en una opción ideal para pequeñas estaciones base y equipos de retransmisión 5G.que es significativamente mejor que el nivel medio de aproximadamente el 30% para productos similares en el mercado.Su ganancia de potencia alcanza los 34,5 dB a la frecuencia de prueba de 2350 MHz, mostrando excelentes capacidades de amplificación de la señal.

El manejo de la energía del PAFSC5G35E37R9 es igualmente impresionante. El módulo tiene una potencia de salida típica de P3dB (1dB de punto de compresión) de 44,8 dBm (aproximadamente 30,2 W),que aún mantiene una buena linealidad a una potencia media de salida de 5W3Esta característica le permite manejar las características de la relación pico-promedio (PAR) de las señales LTE y 5G.satisfacer los requisitos estrictos de los sistemas de comunicación modernos para la amplificación de señales de alto rango dinámicoEl voltaje de funcionamiento estándar del módulo es de 28 V, que es un diseño de voltaje medio y logra un buen equilibrio entre eficiencia y complejidad.

En términos de integración del sistema, PAFSC5G35E37R9 adopta un diseño de coincidencia de impedancia de entrada y salida, lo que simplifica la complejidad del diseño del front-end de RF3.Este diseño integrado reduce la necesidad de una red de correspondencia externaEl módulo está optimizado y probado para señales LTE.garantizar un excelente rendimiento de ACLR (ratio de fuga de canales adyacentes) y EVM (amplitud del vector de errores) en varios formatos de modulación (como QPSK), 16QAM, 64QAM).

En comparación con otros amplificadores de potencia 5G del mercado, como el HWA1330 de Hanwei Optoelectronics (banda n78, PAE > 30%) 8 o el ALT6704 de ANADIGICS (1710-1785MHz, 40% más eficiente),PAFSC5G35E37R9 muestra un rendimiento más equilibrado en los 3.4-3.6 GHz, especialmente en la posición de liderazgo en la industria en los indicadores integrales de eficiencia y linealidad.Esta ventaja de rendimiento lo convierte en la solución preferida para pequeñas estaciones base 5G, equipos de relé y escenarios de despliegue de redes de alta densidad.

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