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TC58NYG2S0HBAI4 Chip de memoria IC 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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TC58NYG2S0HBAI4 Chip de memoria IC 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

TC58NYG2S0HBAI4 Chip de memoria IC 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63
TC58NYG2S0HBAI4 Chip de memoria IC 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

Ampliación de imagen :  TC58NYG2S0HBAI4 Chip de memoria IC 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: TC58NYG2S0HBAI4
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TFBGA-63
Tiempo de entrega: 5 a 8 días hábiles
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

TC58NYG2S0HBAI4 Chip de memoria IC 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

Descripción
Número de pieza: TC58NYG2S0HBAI4 Tecnología: El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
Tamaño de la memoria: 4Gbit Organización de la memoria: los 512M x 8
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: 25ns Voltagem - Suministro: 1.7V ~ 1.95V

TC58NYG2S0HBAI4 Chip de IC de memoria 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

 

Resumen del producto de TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4 es un solo 1.8V 4 Gbit (4,563,402,752 bits) NAND Memoria de solo lectura borrable y programable (NAND E2PROM) organizada como (4096 + 256) bytes 64 páginas 2048 bloques.

TC58NYG2S0HBAI4 tiene dos registros estáticos de 4352 bytes que permiten transferir datos de programa y lectura entre el registro y la matriz de células de memoria en incrementos de 4352 bytes.La operación de borrado se implementa en una sola unidad de bloque (256 Kbytes + 16 Kbytes): 4352 bytes x 64 páginas).


Las especificaciones del TC58NYG2S0HBAI4

Número de la parte: TC58NYG2S0HBAI4
Categoría de producto: NAND flash
DSM/SMT
Se aplican las siguientes condiciones:
4 Gbit
En paralelo
512 M x 8
Sincronizado
8 bits
1.7 V
1.95 V
30 mA
- 40 °C
+ 85 °C
Corriente de lectura activa - máximo: 30 mA


Características del TC58NYG2S0HBAI4

Organización x8
Arreglo de células de memoria: 4352 x 128K x 8
Registro: 4352 x 8
Tamaño de la página: 4352 bytes
Tamaño del bloque: (256K x 16K) bytes
Fuente de alimentación - VCC: de 1,7 V a 1,95 V
Se requiere un ECC de 8 bits por cada 512 bytes.


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Preguntas frecuentes
¿Sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede apoyar el pedido de pequeñas cantidades o muestra? ¿Es la muestra gratuita?
R: Sí, apoyamos el pedido de muestra y el pequeño pedido. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
¿Cómo envío mi pedido? ¿Es seguro?
R: Utilizamos el expreso para el envío, como DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su agente de envío sugerido.Los productos estarán en buen embalaje y garantizar la seguridad y somos responsables de los daños del producto a su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas de stock dentro de 5 días hábiles. Si no hay stock, confirmaremos el tiempo de entrega para usted en función de la cantidad de su pedido.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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