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IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance
IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Ampliación de imagen :  IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IRF6894MTRPBF
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: DirectFET MX
Tiempo de entrega: 5-8 días de trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union
Contacto

IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Descripción
Número de parte: IRF6894MTRPBF Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 25 V
Identificación - corriente continua del dren: 170 A Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 1.7 mOhms
Qg - carga de la puerta: 29 a.C. PD - Disipación de potencia: 54 W
Resaltar:

25V HEXFET Power MOSFET

,

170A Continuous Drain Current Integrated Circuit Chip

,

1.7mOhms Drain-Source Resistance Power MOSFET

IRF6894MTRPBF Integrated Circuit Chip 25V HEXFET Power MOSFET Plus Schottky Diode
Product Description
IRF6894MTRPBF is a 25V, Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 33 amperes with optimized low on-resistance. This product combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile.
Specifications
Series HEXFET®
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta), 160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4160 pF @ 13 V
FET Feature Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 54W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Features
  • RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide
  • Integrated Monolithic Schottky Diode
  • Low Profile (<0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling Compatible
  • Low Package Inductance
  • Optimized for High Frequency Switching
  • Ideal for CPU Core DC-DC Converters
  • Optimized for Sync. FET socket of Sync. Buck Converter
  • Low Conduction and Switching Losses
  • Compatible with existing Surface Mount Techniques
  • 100% Rg tested
  • Footprint compatible to DirectFET
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etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

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Microprocesadores integrados QFN24

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