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IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
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IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package

IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package
IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package

Ampliación de imagen :  IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IRLR3636TRPBF
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-252-3
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental

IRLR3636TRPBF 60V 99A Power MOSFET Transistor HEXFET N-Channel with 6.8 mOhms RDS(ON) in DPAK-3 Package

Descripción
Número de pieza: IRLR3636TRPBF Paquete / estuche: DPAK-3 (TO-252-3)
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: Las demás: Identificación - corriente continua del dren: 99 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 6.8 MOhms Qg - carga de la puerta: 49 nC
Resaltar:

60V Power MOSFET Transistor

,

99A HEXFET Transistor

,

6.8 mOhms N-Channel MOSFET

IRLR3636TRPBF Integrated Circuit Chip 60V HEXFET Single N-Channel Power MOSFET Transistors

IRLR3636TRPBF is a 60V, HEXFET Single N-Channel Power MOSFET Transistor in a D-Pak package. Part of the StrongIRFET™ power MOSFET family, it is optimized for low RDS(on) and high current capability.

This component is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Specifications
Series HEXFET®
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3779 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 143W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252AA (DPAK)
Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Key Features
  • Optimized for Logic Level Drive
  • Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Superior R*Q at 4.5V VGS
  • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
  • Lead-Free
Typical Applications
  • DC Motor Drive
  • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
  • Uninterruptible Power Supply
  • High Speed Power Switching
  • Hard Switched and High Frequency Circuits
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Part Number Package
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A: We can ship stock parts within 5 working days. If without stock, we will confirm lead time for you based on your order quantity.

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

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