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IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance
IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

Ampliación de imagen :  IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IPD50R3K0CE
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-252-3
Tiempo de entrega: 3-5 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000 piezas por día
Contacto

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

Descripción
Número de pieza: IPD50R3K0CE Polaridad del transistor:: N-canal
Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente:: 500 V Id - Corriente de drenaje continua:: 2,6 A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente:: 3 ohmios Vgs - Voltaje de puerta-fuente:: - 20 V, 20 V
Resaltar:

500V Drain-Source Breakdown Voltage Integrated Circuit Chip

,

1.7A Continuous Drain Current Power MOSFET Transistor

,

3 Ohms Drain-Source Resistance CoolMOS™ N-Channel

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistors
IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistors
Product Description
IPD50R3K0CE 500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform designed for cost-sensitive applications in consumer and lighting markets while maintaining high efficiency standards. This series provides all the benefits of fast-switching superjunction MOSFET technology while ensuring ease of use and offering the best cost-to-performance ratio available on the market.
Technical Specifications
Parameter Value
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ω @ 400mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 84 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 26W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Key Features
  • Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
  • Very high commutation ruggedness
  • Easy to use and drive
  • Pb-free plating, Halogen free mold compound
  • Qualified for standard grade applications
Applications
  • PFC stages
  • Hard switching PWM stages
  • Resonant switching stages
  • PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV
  • Indoor lighting systems
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Part Number Package
ISO7763FQDWQ1 16-SOIC
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ISO7810FDWWR 16-SOIC
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ISO7331FCQDWQ1 16-SOIC
ISO7340FCQDWQ1 16-SOIC
ISO7721FQDWRQ1 16-SOIC
ISO7820DWWR 16-SOIC
ISO7841DWWR 16-SOIC
ISO7321FCQDQ1 8-SOIC
ISO6721RFBQDRQ1 8-SOIC
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INA310A2QDGKRQ1 8-TSSOP
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etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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