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Chip de circuito integrado IPW65R041CFD 650V CoolMOS™ Transistor MOSFET de potencia de canal N con 68,5A de corriente de drenaje continua y 37mOhms de resistencia drenaje-fuente

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Chip de circuito integrado IPW65R041CFD 650V CoolMOS™ Transistor MOSFET de potencia de canal N con 68,5A de corriente de drenaje continua y 37mOhms de resistencia drenaje-fuente

Chip de circuito integrado IPW65R041CFD 650V CoolMOS™ Transistor MOSFET de potencia de canal N con 68,5A de corriente de drenaje continua y 37mOhms de resistencia drenaje-fuente
Chip de circuito integrado IPW65R041CFD 650V CoolMOS™ Transistor MOSFET de potencia de canal N con 68,5A de corriente de drenaje continua y 37mOhms de resistencia drenaje-fuente Chip de circuito integrado IPW65R041CFD 650V CoolMOS™ Transistor MOSFET de potencia de canal N con 68,5A de corriente de drenaje continua y 37mOhms de resistencia drenaje-fuente

Ampliación de imagen :  Chip de circuito integrado IPW65R041CFD 650V CoolMOS™ Transistor MOSFET de potencia de canal N con 68,5A de corriente de drenaje continua y 37mOhms de resistencia drenaje-fuente

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IPW65R041CFD
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: A-247-3
Tiempo de entrega: 3-5 días laborables
Condiciones de pago: TT
Capacidad de la fuente: 10000 piezas por día
Contacto

Chip de circuito integrado IPW65R041CFD 650V CoolMOS™ Transistor MOSFET de potencia de canal N con 68,5A de corriente de drenaje continua y 37mOhms de resistencia drenaje-fuente

Descripción
Número de pieza: IPW65R041CFD Polaridad del transistor:: N-canal
Número de canales:: 1 canal Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente:: 650 V
Id - Corriente de drenaje continua:: 68.5 A Rds On - Resistencia drenaje-fuente:: 37 mOhms
Resaltar:

MOSFET de potencia de voltaje de salida de 650 V

,

68.5A Transistor de corriente de escape continuo CoolMOSTM

,

Chip de circuito integrado de 37 mOhms de resistencia a la fuente de drenaje

Chip de circuito integrado IPW65R041CFD 650V CoolMOS™ Transistores MOSFET de potencia de canal N
Descripción general del producto

IPW65R041CFD CoolMOS™ representa una tecnología revolucionaria para MOSFETs de potencia de alto voltaje, diseñados según el principio de superunión (SJ) y pioneros por Infineon Technologies. La serie 650V CoolMOS TIM CFD2 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta clase. Estos dispositivos brindan todos los beneficios de un MOSFET SJ de conmutación rápida, al tiempo que ofrecen un diodo de cuerpo extremadamente rápido y robusto. Esta combinación de pérdidas de conmutación, conmutación y conducción extremadamente bajas junto con la mayor robustez hace que las aplicaciones de conmutación resonante sean más confiables, eficientes, livianas y frías.

Especificaciones técnicas
Parámetro Valor
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (Óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25°C 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Máx) a Id, Vgs 41mOhm a 24.8A, 10V
Vgs(th) (Máx) a Id 4.5V a 1.24mA
Carga de puerta (Qg) (Máx) a Vgs 102 nC a 10 V
Vgs (Máx) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) a Vds 4975 pF a 400 V
Disipación de potencia (Máx) 227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Características principales
  • Diodo de cuerpo ultrarrápido
  • Robustez de conmutación muy alta
  • Pérdidas extremadamente bajas debido a FOM Rdson*Qg y Eoss muy bajos
  • Fácil de usar/conducir
  • Revestimiento sin plomo, compuesto de molde sin halógenos
  • Calificado para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22)
Aplicaciones
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Preguntas frecuentes
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Sí, todos los productos son originales. La importación original nueva es nuestro propósito.
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Podemos enviar piezas en stock dentro de los 5 días hábiles. Para los artículos que no están en stock, confirmaremos el plazo de entrega en función de la cantidad de su pedido.

etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

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Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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