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Transistor MOSFET de potencia de canal N de 25V 100A con resistencia de descarga de 1 mOhm

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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Transistor MOSFET de potencia de canal N de 25V 100A con resistencia de descarga de 1 mOhm

Transistor MOSFET de potencia de canal N de 25V 100A con resistencia de descarga de 1 mOhm
Transistor MOSFET de potencia de canal N de 25V 100A con resistencia de descarga de 1 mOhm Transistor MOSFET de potencia de canal N de 25V 100A con resistencia de descarga de 1 mOhm

Ampliación de imagen :  Transistor MOSFET de potencia de canal N de 25V 100A con resistencia de descarga de 1 mOhm

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TDSON-8
Tiempo de entrega: 5-8 DÍAS LABORALES
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental
Contacto

Transistor MOSFET de potencia de canal N de 25V 100A con resistencia de descarga de 1 mOhm

Descripción
Número de pieza: Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea Polaridad del transistor:: N-canal
Número de canales:: 1 canal Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente:: 25 V
Id - Corriente de drenaje continua:: 100 A Rds On - Resistencia drenaje-fuente:: mOhms 1
Resaltar:

Transistor MOSFET de potencia con voltaje drenaje-fuente de 25 V

,

MOSFET de canal N con corriente de drenaje continua de 100 A

,

Transistor OptiMOS con resistencia drenaje-fuente de 1 mOhm

Transistores MOSFET del poder del canal N de OptiMOS™ 25V 100A del chip del circuito integrado BSC010NE2LS
Descripción general del producto

BSC010NE2LS es un transistor MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ de 25 V y 100 A diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento.

Especificaciones técnicas
Parámetro Valor
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 25 voltios
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C 38A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 4,5 V, 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs 1,05 mOhmios a 30 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC a 10 V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF a 12 V
Disipación de energía (máx.) 2,5 W (Ta), 96 W (Tc)
Características clave
  • Optimizado para aplicaciones de convertidor Buck de alto rendimiento
  • RDS de muy baja resistencia (encendido) @VGS = 4,5 V
  • 100% de confiabilidad probada en avalanchas
  • Rendimiento superior de resistencia térmica
  • Configuración de canal N
  • Calificado según JEDEC para aplicaciones específicas
  • Revestimiento de plomo sin Pb; Cumple con RoHS
  • Libre de halógenos según IEC61249-2-21
Aplicaciones
  • Soluciones de alimentación en carril DIN
  • Sistemas de accionamiento de motores de uso general
  • Convertidor de bus intermedio (IBC) de 48 V
  • Infraestructura de telecomunicaciones
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etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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