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MOSFET de potencia IRFP4368PBF 75V 195A 1.85 mOhms Canal N StrongIRFET Transistor en paquete TO-247

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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MOSFET de potencia IRFP4368PBF 75V 195A 1.85 mOhms Canal N StrongIRFET Transistor en paquete TO-247

MOSFET de potencia IRFP4368PBF 75V 195A 1.85 mOhms Canal N StrongIRFET Transistor en paquete TO-247
MOSFET de potencia IRFP4368PBF 75V 195A 1.85 mOhms Canal N StrongIRFET Transistor en paquete TO-247

Ampliación de imagen :  MOSFET de potencia IRFP4368PBF 75V 195A 1.85 mOhms Canal N StrongIRFET Transistor en paquete TO-247

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: Se aplicará el procedimiento siguiente:
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: A-247-3
Tiempo de entrega: 5-8 DÍAS LABORALES
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental
Contacto

MOSFET de potencia IRFP4368PBF 75V 195A 1.85 mOhms Canal N StrongIRFET Transistor en paquete TO-247

Descripción
Número de pieza: Se aplicará el procedimiento siguiente: Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente:: Las demás:
Id - Corriente de drenaje continua:: Las demás: Rds On - Resistencia drenaje-fuente:: 1,85 mOhmios
Vgs - Voltaje de puerta-fuente:: - 20 V, 20 V Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente:: 4 V
Resaltar:

MOSFET de potencia de 75 V

,

Transistor MOSFET de 195A

,

1

Chip de circuito integrado IRFP4368PBF
Transistores MOSFET de potencia StrongIRFETTM de un solo canal N de 75 V en paquete TO-247
Resumen del producto
La familia de MOSFET de potencia IRFP4368PBF StrongIRFET TM está optimizada para una capacidad de baja RDS ((on) y alta corriente. Estos dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez.La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos los motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores CC-CC.
Especificaciones técnicas
Parámetro Valor
Tipo de FET N-canal
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C Se aplicará el procedimiento siguiente:
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs 1.85 mOhm @ 195A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id 4V @ 250μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 570 nC @ 10 V
Vgs (máximo) ± 20 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds Se aplicarán las siguientes medidas:
Disposición de energía (máximo) El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido de carbono.
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Características clave
  • Optimizado para una mayor disponibilidad
  • Calificación del producto según JEDEC
  • Potencia a través del agujero estándar de la industria
  • Clasificación de alta corriente
Beneficios para el rendimiento
  • Mejora de la robustez de la puerta, la avalancha y la robustez dinámica dV/dt
  • Capacidad totalmente caracterizada y SOA de avalancha
  • Diodo de carrocería mejorado dV/dt y dI/dt Capacidad
  • Construcción libre de plomo
Aplicaciones
  • Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS
  • Suministro de energía ininterrumpido
  • Conmutación de energía de alta velocidad
  • Circuitos con conmutación dura y de alta frecuencia
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Número de la parte Paquete
Se aplicará el procedimiento siguiente: TQFP-48 y TQFP-48
Se aplicará el procedimiento siguiente: TQFP-48 y TQFP-48
Se aplicará el procedimiento siguiente: No incluye:
Las condiciones de los productos de la categoría LTM4712IY: BGA-144
Las condiciones de las condiciones de ensayo se determinarán en el anexo I. PECM y PEC
- ¿Qué es eso? Modulo
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Modulo
El objetivo de las medidas es: Modulo
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. No se aplican las disposiciones de la Directiva 2008/57/CE.
LMK60E0-156M25SIAR y sus componentes Cuadro de las normas de seguridad
LMK60E0-212M50SIAR y sus componentes Cuadro de las normas de seguridad
El LMK61E0-050M00SIAR Cuadro de las normas de seguridad
TPL5010QDDCRQ1 Se trata de la SOT-23-6.
LMK60E0-156257SIAR. No se puede hacer nada. Cuadro de las normas de seguridad
El LMK61E2-125M00SIAR Cuadro de las normas de seguridad
F28P659DK8PTPQ1 Se aplicará el procedimiento siguiente:
F28P659DK8PZPQ1 Se aplican los siguientes requisitos:
F28P659DK8ZEJQ1 NFBGA-256 y sus derivados
F28P659DK8ZEJRQ1 NFBGA-256 y sus derivados
Se trata de un sistema de control de velocidad. FCBGA-256 y sus derivados
Se aplicará el procedimiento siguiente: FCBGA-256 y sus derivados
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad. FCBGA-256 y sus derivados
Se aplicará el procedimiento siguiente: VQFN-32
AFE78101RRUR Se aplicará el código de identificación UQFN-24.
AFE781H1RRR Se aplicará el código de identificación UQFN-24.
AFE78201RRUR Se aplicará el código de identificación UQFN-24.
AFE782H1RRR Se aplicará el código de identificación UQFN-24.
Se aplicará el procedimiento siguiente: VQFN-40, el número de unidad
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la emisión de gases de efecto invernadero. VQFN-32
Se aplicará el método de cálculo de los valores de referencia. 8-SOIC
Preguntas frecuentes
¿Sus productos son originales?
Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.
¿Qué certificados tiene?
Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
¿Puede apoyar el pedido de pequeñas cantidades o la muestra? ¿La muestra es gratuita?
Sí, apoyamos pedidos de muestras y pedidos pequeños. El costo de la muestra varía según su pedido o requisitos del proyecto.
¿Cómo envío mi pedido?
Utilizamos transportistas expresos como DHL, FedEx, UPS, TNT y EMS. También podemos usar su transportista sugerido. Los productos serán empaquetados de manera segura, y somos responsables de cualquier daño a su pedido.
¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
Podemos enviar piezas de stock dentro de 5 días hábiles. Para los artículos que no están en stock, confirmaremos el tiempo de entrega basado en la cantidad de su pedido.

etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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