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NT5CB128M16JR-FL Circuito Integrado de Memoria SDRAM DDR3 Automotriz de Alta Velocidad 2Gb Paquete BGA96

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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NT5CB128M16JR-FL Circuito Integrado de Memoria SDRAM DDR3 Automotriz de Alta Velocidad 2Gb Paquete BGA96

NT5CB128M16JR-FL Circuito Integrado de Memoria SDRAM DDR3 Automotriz de Alta Velocidad 2Gb Paquete BGA96
NT5CB128M16JR-FL Circuito Integrado de Memoria SDRAM DDR3 Automotriz de Alta Velocidad 2Gb Paquete BGA96

Ampliación de imagen :  NT5CB128M16JR-FL Circuito Integrado de Memoria SDRAM DDR3 Automotriz de Alta Velocidad 2Gb Paquete BGA96

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: NT1comunicación telefónica
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: BGA96
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental

NT5CB128M16JR-FL Circuito Integrado de Memoria SDRAM DDR3 Automotriz de Alta Velocidad 2Gb Paquete BGA96

Descripción
Número de pieza: NT1comunicación telefónica Paquete: BGA96
Temperatura de funcionamiento: -40℃ a 105℃ Tipo: Chip de memoria CI
Resaltar:

SDRAM DDR3 de alta velocidad

,

Chip de circuito integrado de memoria para automóviles

,

Circuito integrado de memoria SDRAM de 2 Gb

Chip IC de memoria NT5CB128M16JR-FL
IC de memoria SDRAM DDR3 automotriz de alta velocidad de 2 Gb
Descripción general del producto
La SDRAM DDR3 NT5CB128M16JR-FL es una memoria de acceso aleatorio dinámico de alta velocidad configurada internamente como una DRAM de ocho bancos. Este chip de memoria de grado automotriz utiliza una arquitectura de prefetch 8n para lograr una operación de alta velocidad, combinada con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S.
Características técnicas
  • Totalmente compatible con DDR3
  • Arquitectura de prefetch 8n
  • Reloj diferencial (CK/CK#) y estroboscopio de datos (DQS/DQS#)
  • Doble velocidad de datos en DQs, DQS y DM
  • Autorrefresco (ASR) mediante TS incorporado en DRAM
  • Modos de autorrefresco y autorrefresco
  • Modo de apagado para eficiencia energética
  • Cumple con AEC-Q100 y la presentación PPAP
  • Fuerza de accionamiento configurable para la compatibilidad del sistema
  • Terminación en chip configurable
  • Calibración ZQ para precisión de impedancia DS/ODT a través de la almohadilla ZQ externa (240 ohmios ±1%)
  • Nivelación de escritura a través de la configuración MR
  • Nivelación de lectura a través de MPR
Imagen del producto
NT5CB128M16JR-FL Circuito Integrado de Memoria SDRAM DDR3 Automotriz de Alta Velocidad 2Gb Paquete BGA96 0
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Preguntas frecuentes
¿Son sus productos originales?
Sí, todos los productos son originales, la importación original nueva es nuestro propósito.
¿Qué certificados tiene?
Somos una empresa con certificación ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
¿Puede admitir pedidos de pequeñas cantidades o muestras? ¿La muestra es gratuita?
Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
¿Cómo enviar mi pedido? ¿Es seguro?
Utilizamos servicios exprés como DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. También podemos utilizar su transitario sugerido. Los productos estarán bien embalados y garantizarán la seguridad, y somos responsables de los daños del producto a su pedido.
¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
Podemos enviar piezas en stock dentro de los 5 días hábiles. Si no hay stock, confirmaremos el tiempo de entrega para usted en función de la cantidad de su pedido.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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