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Chip IC de memoria TC58NVG1S3HBAI6 NAND E2PROM de 2 Gbit con alimentación de 3,3 V e interfaz paralela

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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Chip IC de memoria TC58NVG1S3HBAI6 NAND E2PROM de 2 Gbit con alimentación de 3,3 V e interfaz paralela

Chip IC de memoria TC58NVG1S3HBAI6 NAND E2PROM de 2 Gbit con alimentación de 3,3 V e interfaz paralela
Chip IC de memoria TC58NVG1S3HBAI6 NAND E2PROM de 2 Gbit con alimentación de 3,3 V e interfaz paralela

Ampliación de imagen :  Chip IC de memoria TC58NVG1S3HBAI6 NAND E2PROM de 2 Gbit con alimentación de 3,3 V e interfaz paralela

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: El número de unidades de producción es el siguiente:
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: VFBGA-67
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental
Contacto

Chip IC de memoria TC58NVG1S3HBAI6 NAND E2PROM de 2 Gbit con alimentación de 3,3 V e interfaz paralela

Descripción
Número de pieza: El número de unidades de producción es el siguiente: Tamaño de la memoria:: 2 Gbit
Organizaciones: 256 M x 8 Ancho del bus de datos:: 8 bits
Voltaje de suministro - Min:: 2.7 V Voltaje de suministro - Max:: 3,6 voltios
Resaltar:

Chip IC de memoria de 2 Gbit

,

3.3V NAND E2PROM

,

Memoria flash de interfaz paralela

TC58NVG1S3HBAI6 Chip de circuito integrado de memoria
Memoria NAND de solo lectura de 3.3V de 2Gbit y borrable eléctricamente y programable
Resumen del producto
El TC58NVG1S3HBAI6 es un único 3.3V 2Gbit (2,281,701,376 bits) NAND Memoria de solo lectura borrable y programable (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 128) bytes × 64 páginas × 2048 bloques.El dispositivo cuenta con dos registros estáticos de 2176 bytes que permiten la transferencia de datos de programación y lectura entre el registro y la matriz de células de memoria en incrementos de 2176 bytesLas operaciones de borrado se implementan en unidades de bloque único (128 KBytes + 8 KBytes: 2176 Bytes × 64 páginas).
Este dispositivo de memoria de tipo serial utiliza pines de E/S para direcciones e entrada/salida de datos, así como entradas de comandos.es ideal para aplicaciones que requieren almacenamiento de datos de memoria no volátil de alta densidad, incluidos el almacenamiento de archivos de estado sólido, la grabación de voz, la memoria de archivos de imagen para cámaras fijas y sistemas similares.
Especificaciones técnicas
Parámetro Especificación
Formato de memoria El flash.
Tecnología El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.
Tamaño de la memoria 2Gbit
Organización de la memoria 256M x 8
Interfaz de memoria En paralelo
Escribe el tiempo del ciclo 25 días
Tiempo de acceso 25 días
Suministro de tensión 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Características clave
Características comunes
  • Solución de almacenamiento óptima para el almacenamiento a largo plazo de datos significativos o de datos que cambian con frecuencia
  • Larga retención de datos y rendimiento extremo de escritura/borrado
  • Amplia gama que abarca diversas densidades
  • Reducción del coste de la BOM gracias a la tecnología de producción de 24 nm de vanguardia
  • Soporta tamaños de placa más pequeños para dispositivos móviles y aplicaciones compactas
SLC NAND 24 nm
  • Rango de densidad de 1 a 128 Gbit
  • Funcionamiento de un rango de temperatura extendido
  • Disponible en los paquetes TSOP y BGA
BENAND 24nm con ECC incorporado
  • Opciones de densidad de 1 a 8 Gbit
  • Funcionalidad ECC de hardware en el chip
  • Igual fiabilidad y rendimiento que el SLC en bruto
  • Interfaz de hardware y paquete idénticos como SLC en bruto
  • No se requiere ninguna operación de ECC en el lado anfitrión
  • Permite el uso de la última tecnología SLC NAND de 24 nm sin soporte de ECC de la plataforma
Aplicaciones
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  • Iluminación inteligente
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Preguntas frecuentes
¿Sus productos son originales?
Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.
¿Qué certificados tiene?
Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
¿Puede apoyar el pedido de pequeñas cantidades o la muestra? ¿La muestra es gratuita?
Sí, apoyamos pedidos de muestras y pequeñas cantidades. El costo de la muestra varía según su pedido o requisitos del proyecto.
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etiqueta:

PALADIO 3,

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Regulador QFN20 del paladio del USB

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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Teléfono: 86-13410018555

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