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W631GU6MB-11 Chip de circuito integrado de memoria 1 Gbit Paralelo 933 MHz DDR3L SDRAM

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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W631GU6MB-11 Chip de circuito integrado de memoria 1 Gbit Paralelo 933 MHz DDR3L SDRAM

W631GU6MB-11 Chip de circuito integrado de memoria 1 Gbit Paralelo 933 MHz DDR3L SDRAM
W631GU6MB-11 Chip de circuito integrado de memoria 1 Gbit Paralelo 933 MHz DDR3L SDRAM

Ampliación de imagen :  W631GU6MB-11 Chip de circuito integrado de memoria 1 Gbit Paralelo 933 MHz DDR3L SDRAM

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: W631GU6MB-11
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: VFBGA-96 y VFBGA-96
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental
Contacto

W631GU6MB-11 Chip de circuito integrado de memoria 1 Gbit Paralelo 933 MHz DDR3L SDRAM

Descripción
Número de pieza: W631GU6MB-11 Tamaño de la memoria:: 1 Gbit
Ancho del bus de datos:: 16 bits Frecuencia máxima de reloj:: 933 megaciclos
Organizaciones: 64 M x 16 Corriente de suministro - Máx.:: 240 mA
Resaltar:

Chip de circuito integrado de memoria de 1 Gbit

,

SDRAM DDR3L de 933MHz

,

Chip IC de memoria paralela

Chip de memoria IC W631GU6MB-11
Memoria SDRAM DDR3L de 1Gbit Paralela a 933MHz
Descripción general del producto
El W631GU6MB-11 es una SDRAM DDR3L de 1Gbit organizada como 8.388.608 palabras en 8 bancos con una arquitectura de 16 bits. Este dispositivo de memoria de alto rendimiento ofrece velocidades de transferencia de hasta 2133 MT/s (DDR3L-2133) para diversas aplicaciones industriales y de computación.
Especificaciones técnicas
Tipo de memoria Volátil
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - DDR3L
Tamaño de la memoria 1Gbit
Organización de la memoria 64M x 16
Interfaz de memoria Paralela
Frecuencia de reloj 933 MHz
Tiempo de acceso 20 ns
Suministro de voltaje 1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 95°C (TC)
Características principales
  • Fuente de alimentación: 1.35V (típ.), VDD, VDDQ = 1.283V a 1.45V
  • Compatible con versiones anteriores a VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V
  • Arquitectura de doble velocidad de datos: dos transferencias de datos por ciclo de reloj
  • Ocho bancos internos para operación concurrente
  • Arquitectura de precarga de 8 bits
  • Latencia CAS: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 y 14
  • Modos de ráfaga de longitud 8 (BL8) y ráfaga corta 4 (BC4)
  • Ordenamiento de ráfaga de lectura programable: intercalado o secuencial de nibble
  • Estrobos de datos bidireccionales y diferenciales (DQS y DQS#)
  • DLL alinea las transiciones DQ y DQS con el reloj
  • Entradas de reloj diferenciales (CK y CK#)
  • CAS publicado con latencia aditiva programable
  • Operación de precarga automática para ráfagas de lectura y escritura
  • Actualización, Autorrefresco, Autorrefresco automático y Autorrefresco parcial de la matriz
  • Apagado de energía precargado y apagado de energía activo
  • Máscaras de datos (DM) para datos de escritura
  • Latencia de escritura CAS (CWL) programable por frecuencia de funcionamiento
  • Registro de uso múltiple para calibración de temporización del sistema
  • Soporte de calibración de temporización a nivel de sistema a través de la nivelación de escritura
  • Calibración ZQ para el controlador de salida y ODT
  • Pin RESET# asíncrono para inicialización
  • Terminación en matriz programable (ODT)
  • Modo ODT dinámico para una mejor integridad de la señal
  • Tamaño de página de 2K Bytes
  • Paquete VFBGA 96 Ball (7.5 x 13 mm², 1.0 mm de grosor)
  • Cumple con RoHS, materiales sin plomo
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Número de pieza Paquete
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NVH820S75L4SPM MÓDULO
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NDSH30120CDN TO-247-3
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Preguntas frecuentes
¿Son originales sus productos?
Sí, todos los productos son originales, la importación original nueva es nuestro propósito.
¿Qué certificados tiene?
Somos una empresa con certificación ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
¿Puede admitir pedidos de pequeñas cantidades o muestras? ¿La muestra es gratuita?
Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra varía según su pedido o los requisitos del proyecto.
¿Cómo enviar mi pedido? ¿Es seguro?
Utilizamos transportistas exprés, incluidos DHL, FedEx, UPS, TNT y EMS. También podemos utilizar su transitario preferido. Los productos se empaquetan de forma segura para garantizar la seguridad y nos hacemos responsables de cualquier daño al producto durante el envío.
¿Qué pasa con el plazo de entrega?
Podemos enviar piezas en stock en un plazo de 5 días hábiles. Para los artículos que no están en stock, confirmaremos el plazo de entrega en función de la cantidad de su pedido.

etiqueta:

PALADIO 3,

0 MPQ5031 DEL USB,

Regulador QFN20 del paladio del USB

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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