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Chip de circuito integrado MOSFET de potencia IRFP4468PBF, 100V de voltaje drenaje-fuente, 290A de corriente continua de drenaje, 2mOhm de resistencia drenaje-fuente en encapsulado TO-247-3

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Chip de circuito integrado MOSFET de potencia IRFP4468PBF, 100V de voltaje drenaje-fuente, 290A de corriente continua de drenaje, 2mOhm de resistencia drenaje-fuente en encapsulado TO-247-3

Chip de circuito integrado MOSFET de potencia IRFP4468PBF, 100V de voltaje drenaje-fuente, 290A de corriente continua de drenaje, 2mOhm de resistencia drenaje-fuente en encapsulado TO-247-3
Chip de circuito integrado MOSFET de potencia IRFP4468PBF, 100V de voltaje drenaje-fuente, 290A de corriente continua de drenaje, 2mOhm de resistencia drenaje-fuente en encapsulado TO-247-3

Ampliación de imagen :  Chip de circuito integrado MOSFET de potencia IRFP4468PBF, 100V de voltaje drenaje-fuente, 290A de corriente continua de drenaje, 2mOhm de resistencia drenaje-fuente en encapsulado TO-247-3

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: Se aplicará el procedimiento siguiente:
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: A-247-3
Tiempo de entrega: 3-5 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000 piezas por día

Chip de circuito integrado MOSFET de potencia IRFP4468PBF, 100V de voltaje drenaje-fuente, 290A de corriente continua de drenaje, 2mOhm de resistencia drenaje-fuente en encapsulado TO-247-3

Descripción
Número de pieza: Se aplicará el procedimiento siguiente: Vds - Voltaje de ruptura drenaje-fuente:: 100 V
Id - Corriente de drenaje continua:: 290 A Rds On - Resistencia drenaje-fuente:: 2 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:: - 20V, 20V Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:: 1,8 voltios
Resaltar:

MOSFET de potencia de voltaje de fuente de drenaje de 100 V

,

Chip de circuito integrado de corriente de drenaje continuo 290A

,

Resistencia de fuente de drenaje de 2 mOhm StrongIRFET

Chip de circuito integrado IRFP4468PBF
MOSFET de potencia StrongIRFETTM de un solo canal N de 100 V en paquete TO-247-3
Resumen del producto
La familia de MOSFET de potencia IRFP4468PBF StrongIRFET TM está optimizada para una capacidad de baja RDS ((on) y alta corriente. Estos dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez.La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos los motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores CC-CC.
Especificaciones técnicas
Parámetro Valor
Tipo de FET N-canal
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C Se aplicará el procedimiento siguiente:
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id 4V @ 250μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs Las emisiones de dióxido de carbono
Vgs (máximo) ± 20 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de la atmósfera.
Disposición de energía (máximo) El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido de carbono.
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Características clave
  • Optimizado para una mayor disponibilidad
  • Calificación del producto según JEDEC
  • Potencia a través del agujero estándar de la industria
  • Clasificación de alta corriente
Beneficios del producto
  • Disponibilidad de amplia distribución
  • Nivel de cualificación estándar de la industria
  • Reemplazo de caída con pin-out estándar
  • Capacidad de carga de alta corriente
Aplicaciones
  • Almacenamiento de energía en batería (BESS)
  • Carga de vehículos eléctricos
  • Soluciones de suministro de energía para trenes DIN
  • Soluciones de inversores de cadena de una fase
  • UPS fuera de línea - transformador de alta frecuencia
Componentes electrónicos relacionados en stock
Número de la parte Paquete
RTL8153B-VB-CG No incluye:
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. 5-DFN
Se aplicará el método de ensayo. 5-DFN
El número de personas afectadas es el siguiente: Las condiciones de producción y de comercialización
El objetivo de la evaluación es evaluar la compatibilidad de las medidas de seguridad con los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II. BGA132
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de pruebas de ensayo. Los productos incluidos en el anexo II son:
El número de unidades de producción es el número de unidades de producción. BGA256
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. El LFBGA132
MX25L25673GM2I-08G SOP8
TDP158RSBR: el contenido de agua en el agua Se aplicará el código WQFN-40.
ADE7913ARIZ SOP20
Se trata de una prueba de la complejidad. VQFN24
TAS5805MPWPR: las instrucciones de seguridad y seguridad HTSSOP28: las condiciones de los productos
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán adoptar medidas de salvaguardia. Número de referencia
Los requisitos de seguridad de las aeronaves deben cumplirse en todos los casos. VQFN-32
NCP451FCT2G: las condiciones de los servicios de seguridad Se aplicará el procedimiento siguiente:
TPS568230RJER: las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros VQFN20
ICS-43432 y sus derivados Número de referencia
IR38365MTRPBF (en inglés) El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones.
IR38165MTRPBF (en inglés) Las condiciones de las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las condiciones de la energía.
IR35412MTRPBF (en inglés) 40 QFN
IR35401MTRPBF (en inglés) Número de referencia
IR35215MTRPBF (en inglés) 40 QFN
IR35207MTRPBF (en inglés) 40 QFN
Se aplicará el método de ensayo. 40 QFN
El número de unidades de producción es el siguiente: El SMD
El número de unidades de producción es el siguiente: El SMD
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las condiciones de producción de los productos
Se aplicará el procedimiento de ensayo. 9-WLP
Se aplicará el método de ensayo. El DFN-5
Preguntas frecuentes
¿Sus productos son originales?
Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.
¿Qué certificados tiene?
Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
¿Puede apoyar el pedido de pequeñas cantidades o la muestra? ¿La muestra es gratuita?
Sí, apoyamos el pedido de muestras y el pedido pequeño. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
¿Cómo envío mi pedido?
Utilizamos el expreso para el envío, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar el transportista sugerido.Los productos estarán en buen embalaje y garantizar la seguridad y somos responsables de los daños del producto a su pedido.
¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
Podemos enviar piezas de stock dentro de 5 días laborables. Si no hay stock, confirmaremos el tiempo de entrega para usted basado en la cantidad de su pedido.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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