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IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Transistor MOSFET de potencia con voltaje de fuente de drenaje de 25V 54A corriente de drenaje continua y disipación de energía de 150W

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Transistor MOSFET de potencia con voltaje de fuente de drenaje de 25V 54A corriente de drenaje continua y disipación de energía de 150W

IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Transistor MOSFET de potencia con voltaje de fuente de drenaje de 25V 54A corriente de drenaje continua y disipación de energía de 150W
IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Transistor MOSFET de potencia con voltaje de fuente de drenaje de 25V 54A corriente de drenaje continua y disipación de energía de 150W

Ampliación de imagen :  IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Transistor MOSFET de potencia con voltaje de fuente de drenaje de 25V 54A corriente de drenaje continua y disipación de energía de 150W

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IQEH50NE2LM7ZCG
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: PG-TTFN-9-3
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental
Contacto

IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Transistor MOSFET de potencia con voltaje de fuente de drenaje de 25V 54A corriente de drenaje continua y disipación de energía de 150W

Descripción
Número de pieza: IQEH50NE2LM7ZCG Polaridad del transistor: N-canal
Vds - Voltaje de ruptura drenaje-fuente: 25 V Id - Corriente de drenaje continua: 422 A
Pd - Disipación de potencia: 150 W Qg - Carga de puerta: 29 a.C.
Resaltar:

Transistor MOSFET de potencia con voltaje drenaje-fuente de 25 V

,

Transistor MOSFET de potencia de corriente de drenaje continuo 54A

,

Transistor MOSFET de potencia de disipación de potencia de 150 W

Chip de circuito integrado IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Transistores MOSFET de potencia de 25V 54A de canal N
Resumen del producto

IQEH50NE2LM7ZCG es un transistor OptiMOSTM 7 N-Channel 25V 54A Power MOSFET. Este semiconductor de potencia avanzado ofrece un rendimiento optimizado para aplicaciones diseñado específicamente para centros de datos, servidores,Infraestructura de IA, y otras aplicaciones exigentes.

Especificaciones técnicas
Tipo de FETN-canal
TecnologíaMOSFET (óxido metálico)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss)25 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°CEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)4.5V y 10V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs0Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de los gases de efecto invernadero.
Vgs(th) (máximo) @ Id1.7V @ 432μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ VgsLas demás:
Vgs (máximo)± 12 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds6100 pF @ 12 V
Disposición de energía (máximo)2.5W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Características clave
  • Optimizaciones de conmutación dura y suave
  • Se aplicará el método de conversión de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal.
  • El sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal.
  • Temperatura nominal de unión de +175°C
  • Variantes de paquetes basados en la fuente
  • Huella de la puerta central, DSC sobremoldeado
Beneficios para el rendimiento
  • Optimización específica de la aplicación
  • Mejora de la eficiencia del rendimiento
  • Robustez de encendido inducida avanzada
  • Reducción de las pérdidas de conductor y de cambio
  • Disminución de las pérdidas de conducción
  • Aumento de la fiabilidad y la densidad de potencia
  • Capacidad térmica superior
  • Parásitos en paquetes reducidos
  • Paralelización simplificada de los MOSFET
Aplicaciones objetivo
  • Soluciones para centros de datos y centros de datos de IA
  • Conversor de bus intermedio de 48 V (IBC)
  • Infraestructuras de telecomunicaciones
  • Sistemas de conversión de energía
  • Unidades de alimentación de servidores (PSU)
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etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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