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Datos del producto:
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| Número de pieza: | IPDQ60R055CM8 | ID (@ TC=25°C) máx.: | 45 A |
|---|---|---|---|
| DI (@25°C) máx.: | 45 A | IDpuls (@25°C) máx.: | 148 A |
| RDS (encendido) (@ Tj = 25°C): | 45,83315 mΩ | Ptot (@25°C) máximo: | Las demás |
| Resaltar: | Transistor MOSFET de potencia de 600 V,microprocesador del circuito integrado 45A,Carga de puerta reducida CoolMOS™ 8 |
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El IPDQ60R055CM8 es un transistor MOSFET CoolMOSTM 8 Power N-Channel de 600 V con mejoras significativas en el rendimiento en comparación con las generaciones anteriores.Este semiconductor de potencia avanzada ofrece una carga de puerta reducida (Qg) en un 20% sobre CFD7En este sentido, la Comisión considera que la Comisión no puede tener en cuenta los resultados de la evaluación de la compatibilidad con el mercado de los contratos de inversión con el mercado de divisas, ya que no se ha evaluado la compatibilidad de los contratos de inversión con el mercado de divisas.
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| ID (@ TC=25°C) máximo | 45 A |
| ID (@25°C) máximo | 45 A |
| IDpulso (@25°C) máximo | 148 A |
| El montaje | Técnicas de control de velocidad |
| Temperatura de funcionamiento (Tj) | -55 °C a 150 °C |
| Paquete | Q-DPAK |
| Polaridad | No |
| Ptot (@25°C) máximo | Las demás: |
| QG (tipo @10V) | 51 n.C. |
| RDS (encendido) (@ Tj = 25°C) | 45.83315 mΩ |
| VDS máximo | Las demás: |
| VGS (h) | 4.2 V |
Persona de Contacto: Sales Manager
Teléfono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753