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IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET de potencia con 60V de desagüe-fuente de voltaje 339A de desagüe continuo de corriente y RDS ultra-bajo ((on) 1.72 mOhms

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET de potencia con 60V de desagüe-fuente de voltaje 339A de desagüe continuo de corriente y RDS ultra-bajo ((on) 1.72 mOhms

IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET de potencia con 60V de desagüe-fuente de voltaje 339A de desagüe continuo de corriente y RDS ultra-bajo ((on) 1.72 mOhms
IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET de potencia con 60V de desagüe-fuente de voltaje 339A de desagüe continuo de corriente y RDS ultra-bajo ((on) 1.72 mOhms

Ampliación de imagen :  IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET de potencia con 60V de desagüe-fuente de voltaje 339A de desagüe continuo de corriente y RDS ultra-bajo ((on) 1.72 mOhms

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IQFH99N06NM5
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TSON-12
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental
Contacto

IQFH99N06NM5 Transistor MOSFET de potencia con 60V de desagüe-fuente de voltaje 339A de desagüe continuo de corriente y RDS ultra-bajo ((on) 1.72 mOhms

Descripción
Número de pieza: IQFH99N06NM5 Vds - Voltaje de ruptura drenaje-fuente:: 60 voltios
Id - Corriente de drenaje continua:: 339A Rds On - Resistencia drenaje-fuente:: 1,72 mOhmios
Vgs - Voltaje puerta-fuente:: - 20V, 20V Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:: 2,8 V
Resaltar:

MOSFET de potencia de voltaje de fuente de drenaje de 60 V

,

Transistor MOSFET de corriente de drenaje continuo 339A

,

Chip de circuito integrado RDS (encendido) ultrabajo de 1

Chip de circuito integrado IQFH99N06NM5 OptiMOSTM 5 N-Canal 60V 40A Transistores MOSFET de potencia
Chip de circuito integrado IQFH99N06NM5 OptiMOSTM 5 N-Canal 60V 40A Transistores MOSFET de potencia
Descripción del producto
El IQFH99N06NM5 MOSFET de potencia de nivel normal de 60V cuenta con nuestro último paquete innovador y compacto basado en clips PQFN 8x6 mm2, que permite niveles de corriente y potencia muy altos.Este componente ofrece un RDS (on) muy bajo de 0.68 mΩ combinado con un rendimiento térmico excepcional, que ofrece una mayor eficiencia del sistema y una mayor densidad de potencia para diversas aplicaciones, incluidos los sistemas alimentados por baterías, la gestión de baterías,Dispositivos de baja tensión, y SMPS.
Especificaciones técnicas
Parámetro Valor
Envase / estuche El TSON-12
Polaridad del transistor N-canal
Número de canales 1 Canal
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje Las demás:
Id - Corriente de drenaje continua 339 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje 1.72 mOhms
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta -20 V, 20 V
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta 2.8 V
Qg - Carga de la puerta 115 después de Cristo
Temperatura mínima de funcionamiento -55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento +175 °C
Pd - Disposición de energía 214 W
Configuración No casado
Tiempo de otoño 48 ns
Transconductividad hacia adelante - Min 120 S
Tipo de producto MOSFETs
Es hora de levantarse 78 ns
Tiempo de retraso típico de apagado 54 ns
Tiempo de retraso típico de encendido 15 ns
Características clave
  • Tecnología de silicio de vanguardia OptiMOSTM
  • Relación chip/paquete muy alta
  • Corrientes ultra altas en huella compacta
  • Parásitos de envases muy bajos
  • Diseño optimizado del marco de plomo y del clip de Cu
  • Compatibilidad de la huella con el PQFN 5x6
  • Diseño compacto con menos paralelismo
Beneficios para el rendimiento
  • Pérdidas de conducción minimizadas
  • Capacidad de alta potencia
  • Rendimiento superior del dispositivo
  • Sobrecarga de voltaje reducido
  • Rendimiento térmico superior
  • Tabla de reutilización para niveles de potencia múltiples
  • Rendimiento de conmutación superior/EMI
Aplicaciones objetivo
  • Soluciones para vehículos eléctricos ligeros
  • Soluciones para bicicletas eléctricas
  • Multicópteros y drones
  • Herramientas eléctricas
  • Trabajo de los robots
  • Sistemas de gestión de baterías (BMS)
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Número de la parte Paquete
R7S910007CBA Las demás:
R7S910026CBA, incluidos los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes Las demás:
R7S910027CBA, incluidos los demás Las demás:
R7S910025CBA, incluidas las sustancias enumeradas en el anexo II Las demás:
R7S910036CBA, incluidos los demás Las demás:
R7S910028CBA, incluidos los demás Las demás:
R7S910015CBA, incluidos los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes Las demás:
R7S910016CBA, incluidos los componentes de los demás componentes Las demás:
El número de unidades de producción será el siguiente: Las demás:
R7S910017CBA, incluido el R7S910017 Las demás:
MCP47CVB02-E/ONU: el número de unidades de seguridad de las que se trate 10-MSOP
MCP47CMB22-E/ONU: el número de personas que pueden ser detenidas en el lugar de detención 10-MSOP
MCP47CMB12-E/ONU: el número de personas que pueden ser detenidas en el lugar de detención. 10-MSOP
MCP47CVB21-E/MF: el número de unidad 10-DFN
MCP47CVB28-20E/ST: el número de unidad 20 - TSSOP
MCP48CVB18-20E/ST: las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros y los vehículos de transporte de pasajeros 20 - TSSOP
MCP47CVB11-E/MG: las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros No se incluyen en la lista.
MCP47CVB01-E/MG: el número de unidades de producción de las que se trate. No se incluyen en la lista.
MCP47CVB12-E/MG: el número de unidades de producción de las que se trate. No se incluyen en la lista.
MCP47CMB21-E/MF: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción. 10-DFN
MCP48FEB24-20E/ST: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero 20 - TSSOP
MCP48CVB22-E/MG: el número de unidad de control de las emisiones de gases de efecto invernadero No se incluyen en la lista.
MCP48CVB02-E/MG: el número de unidades de seguridad de las que se trate. No se incluyen en la lista.
MCP47FEB14-E/MQ No se aplican las disposiciones de la Directiva 2008/57/CE.
MCP47CVB24T-20E/ST: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B. 20 - TSSOP
MCP48CVB08T-E/ML: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero en el aire 20 QFN
MCP47CMD22T-E/MF: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción. 10-DFN
MCP47CMD01-E/MG: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción. No se incluyen en la lista.
MCP47CVD11-E/F 10-DFN
MCP48CMD12-E/MF: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción. 10-DFN
Preguntas frecuentes
¿Sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede apoyar el pedido de pequeña cantidad o la muestra? ¿Es la muestra gratuita?
R: Sí, apoyamos el pedido de muestras y el pedido pequeño. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
¿Cómo envío mi pedido? ¿Es seguro?
R: Utilizamos el expreso para el envío, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar el transportista sugerido.Los productos estarán en buen embalaje y garantizar la seguridad y somos responsables de los daños del producto a su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas de stock dentro de 5 días laborables. Si no hay stock, confirmaremos el tiempo de entrega para usted en función de la cantidad de su pedido.

etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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