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Datos del producto:
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| Número de pieza: | BSS169 | Polaridad del transistor: | N-canal |
|---|---|---|---|
| Vds - Voltaje de ruptura drenaje-fuente: | 100 voltios | Id - Corriente de drenaje continua: | 170 mA |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 2.9 ohmios | Qg - Carga de puerta: | 2,1 nC |
| Resaltar: | Transistores MOSFET de canal N BSS169,MOSFET de modo de agotamiento de 100 V,SOT23-3 Chip de circuito integrado |
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| Serie | SIPMOS® |
| Tipo de FET | Canal N, Modo de Depleción |
| Tecnología | MOSFET (Metal Óxido) |
| Voltaje Drenador-Fuente (Vdss) | 100 V |
| Corriente - Drenador Continuo (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| Voltaje de Accionamiento (Rds On Máx, Rds On Mín) | 0V, 10V |
| Rds On (Máx) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Vgs(th) (Máx) @ Id | 1.8V @ 50µA |
| Carga de Puerta (Qg) (Máx) @ Vgs | 2.8 nC @ 7 V |
| Vgs (Máx) | ±20V |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds | 68 pF @ 25 V |
| Disipación de Potencia (Máx) | 360mW (Ta) |
| Temperatura de Operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de Montaje | Montaje en Superficie |
| Encapsulado del Dispositivo Proveedor | PG-SOT23 |
| Encapsulado / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Número de Parte | Encapsulado |
|---|---|
| LCMXO2-1200ZE-2TG100I | 100-TQFP |
| LCMXO3L-2100C-6BG256C | 256-CABGA |
| LCMXO3L-2100C-5BG256I | 256-CABGA |
| LCMXO2-2000HC-5MG132C | 132-CSPBGA |
| LCMXO2-2000HE-5MG132C | 132-CSPBGA |
| LCMXO3L-4300E-6MG324C | 324-CSFBGA |
| LCMXO2-1200ZE-3MG132I | 132-CSPBGA |
| LCMXO3LF-1300C-6BG256C | 256-CABGA |
| LCMXO3L-6900E-5MG256I | 256-CSFBGA |
| LCMXO3L-6900E-6MG256C | 256-VFBGA |
Persona de Contacto: Sales Manager
Teléfono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753
Calificación general
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