TRF0108RPVT/EM Amplificador de RF de un solo extremo con diferencial de corriente cercana a 12 GHz tolerante a la radiación con ganancia de 17,1 dB

TRF0108RPVT/EM es un amplificador de diferencial a extremo único (D2S) de muy alto rendimiento optimizado para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). El dispositivo es una excelente opción para aplicaciones que requieren una conversión D2S cuando está impulsado por un convertidor digital a analógico (DAC), como el DAC39RF10-SEP o AFE7950-SEP de alto rendimiento.

Los componentes de coincidencia en el chip simplifican la implementación de la placa de circuito impreso (PCB) y brindan el mayor rendimiento en el ancho de banda utilizable. El dispositivo se fabrica utilizando el avanzado proceso BiCMOS complementario de Texas Instruments y está disponible en un paquete WQFN-FCRLF de 2 mm x 2 mm que ahorra espacio.

• Frecuencia: 0Hz ~ 12GHz
• P1dB: 11,4dBm
• Ganancia: 17,1 dB
• Figura de ruido: 12,3 dB.
• Tipo de radiofrecuencia: Radar
• Suministro de voltaje: 4,75 V ~ 5,25 V
• Suministro actual: 170 mA
• Frecuencia de prueba: 2GHz

• Número de dibujo del artículo del proveedor: VID V62/26604
• Tolerancia a la radiación con dosis ionizante total (TID) de hasta 30 krad (Si)
• Garantía de dureza por radiación (RHA) hasta 30 krad (Si) TID
• Proceso sin sensibilidad mejorada a la tasa de dosis baja (ELDRS)
• Latch-up de evento único (SEL) inmune a LET de 43MeV‑cm²/mg
• Construcción de plástico espacial mejorado (Space EP, SEP)
• Diseño sin plomo
• Rango de temperatura ampliado: -55°C a +125°C
• Amplificador de RF diferencial a unipolar (D2S)
• Operación cerca de CC a 12 GHz
• Ganancia: 15,2 dB a 2 GHz
• OP1dB: 11,4dBm (2GHz), 9,4dBm (6GHz)
• OIP3: 27 dBm (2 GHz), 28,5 dBm (6 GHz)
• Frecuencia intermedia: 10,9 dB (2 GHz), 12,1 dB (6 GHz)
• Función de apagado
• Suministro de 5V con corriente activa: 170mA

• Interfaces directas con DAC de RF
• Sistemas aeroespaciales y de defensa.
• Radar de matriz en fase
• Carga útil de comunicaciones
• Carga útil de imágenes de radar