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MC33153PG IGBT Gate Driver Integrated Circuit Chip for High Power Applications with 1A Source/2A Sink Current and -40°C to 150°C Operating Temperature

Name: MC33153PG IGBT Gate Driver Integrated Circuit Chip for High Power Applications with 1A Source/2A Sink Current and -40°C to 150°C Operating Temperature
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

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MC33153PG IGBT Gate Driver Integrated Circuit Chip for High Power Applications with 1A Source/2A Sink Current and -40°C to 150°C Operating Temperature

Ampliación de imagen : MC33153PG IGBT Gate Driver Integrated Circuit Chip for High Power Applications with 1A Source/2A Sink Current and -40°C to 150°C Operating Temperature

Datos del producto:

Lugar de origen:	CN
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	8 - DIP
Tiempo de entrega:	5-8 días laborables
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Unión Occidental

Contacto

MC33153PG IGBT Gate Driver Integrated Circuit Chip for High Power Applications with 1A Source/2A Sink Current and -40°C to 150°C Operating Temperature

Descripción

Número de pieza:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.	Tensión - Suministro:	El valor de las emisiones de CO2
Voltaje de la lógica - VIL, VIH:	1,2 V, 3,2 V	Actual - salida máxima (fuente, fregadero):	1A, 2A
Tiempo de subida / caída (typ):	17 días, 17 días	Temperatura de funcionamiento:	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)

MC33153PG Integrated Circuit Chip Single IGBT Gate Driver For High Power Applications

The MC33153PG is specifically designed as an IGBT driver for high power applications including AC induction motor control, brushless DC motor control, and uninterruptible power supplies. While optimized for driving discrete and module IGBTs, this device offers a cost-effective solution for driving power MOSFETs and bipolar transistors. Device protection features include the choice of desaturation or overcurrent sensing and undervoltage detection. Available in dual-in-line and surface mount packages.

Specifications

Type	Half Bridge
Output Current	20 mA
Operating Supply Current	7.9 mA
Operating Temperature Range	-40°C to +105°C
Mounting Style	Through Hole
Package/Case	PDIP-8
Supply Voltage - Max	15 V
Unit Weight	1 g

Key Features

High Current Output Stage: 1.0 A Source/2.0 A Sink
Protection Circuits for Both Conventional and Sense IGBTs
Programmable Fault Blanking Time
Protection against Overcurrent and Short Circuit
Undervoltage Lockout Optimized for IGBT's
Negative Gate Drive Capability
Cost Effectively Drives Power MOSFETs and Bipolar Transistors
Pb-Free and Halide-Free Device

Calificación general

5.0

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RUBY

Canada Mar 31.2026

Es muy útil. (99)

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Voltaje de suministro - Máx.: 3,6 V

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Número de parte: NCP51200MNTXG

Número de salidas: 1

Voltaje - Salida: 0,5 V ~ 1,8 V

Voltaje - Entrada: 2,375 V ~ 3,5 V

Part Number	Package
CMD244K5	QFN-32
QPF7551SR	SMD-16
QPB9348TR13	LGA-40
QPF4551SR	SMD-16
QPF4532TR13	SMD-16
QPA0012D	QFN
QPA9940TR13	QFN-16
QPL6207QTR7	DFN-8
QPF4730SR	SMD-16
QPC8015QSR	QFN-6
QPA4428TR13	QFN-40
QPA4425TR13	QFN-40
QPF4211SR	SMD-16
QPF4200TR13	QFN-16
QPF4530TR13	QFN-16
QPL1000SR	QFN-20
QPC1005	QFN-24
QPA4501TR13	QFN-36
DW3300QTR13	LGA-40
QPA9126TR7	DFN-8
PCA9431HKZ	16-XQFN
OL2311AHN/C0B	32-HVQFN
MKW21D512VHA5R	63-VFLGA
K32W041AY	40-HVQFN
SLRC61003HNY	HVQFN-32
88W8987-A2-NYE2I005	HVQFN68
88MW320-A0-NAP2I000	HVQFN68
K32W041AK	40-HVQFN
PN7362AUEV	64-VFBGA
TEF7092AHN	QFN

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MC33153PG IGBT Gate Driver Integrated Circuit Chip for High Power Applications with 1A Source/2A Sink Current and -40°C to 150°C Operating Temperature

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Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,