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Transistor MOSFET de potencia STP240N10F7 con voltaje de salida de 100 V, disipación de energía de 300 W y resistencia de encendido ultra baja

Name: Transistor MOSFET de potencia STP240N10F7 con voltaje de salida de 100 V, disipación de energía de 300 W y resistencia de encendido ultra baja
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: STP240N10F7
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

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Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

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Transistor MOSFET de potencia STP240N10F7 con voltaje de salida de 100 V, disipación de energía de 300 W y resistencia de encendido ultra baja

Ampliación de imagen : Transistor MOSFET de potencia STP240N10F7 con voltaje de salida de 100 V, disipación de energía de 300 W y resistencia de encendido ultra baja

Datos del producto:

Lugar de origen:	CN
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	STP240N10F7

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	A-220-3
Tiempo de entrega:	5-8 días laborables
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Unión Occidental

Contacto

Transistor MOSFET de potencia STP240N10F7 con voltaje de salida de 100 V, disipación de energía de 300 W y resistencia de encendido ultra baja

Descripción

Número de pieza:	STP240N10F7	Tipo FET:	N-canal
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss):	100 voltios	Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:	176 nC a 10 V
Disipación de potencia (Max):	300W (Tc)	Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Transistores TO-220-3 del MOSFET del poder del microprocesador 100V STRipFET F7 del circuito integrado STP240N10F7

Descripción general del producto

El MOSFET de potencia de canal N STP240N10F7 utiliza la tecnología STripFET™ F7 con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Presupuesto

Parámetro	Valor
Categoría de producto	MOSFET
Tecnología	Si
Estilo de montaje	A través del agujero
Paquete / Estuche	A-220-3
Polaridad del transistor	Canal N
Número de canales	1 canal
Vds - Voltaje de ruptura drenaje-fuente	100 voltios
Id - Corriente de drenaje continua	110A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente	3,2 mOhmios
Vgs - Voltaje puerta-fuente	-20V, 20V
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente	4,5 voltios
Qg - Carga de puerta	160 nC
Temperatura mínima de funcionamiento	-55℃
Temperatura máxima de funcionamiento	+175℃
Pd - Disipación de potencia	300W
Modo de canal	Realce
Nombre comercial	tirafet
tiempo de otoño	112 ns
Tipo de producto	MOSFET
tiempo de subida	139 ns
Subcategoría	Transistores
Tipo de transistor	1 canal N
Tiempo de retardo típico de apagado	110 ns
Tiempo de retardo de encendido típico	49 ns

Características clave

Resistencia ultrabaja
100% probado contra avalanchas

Aplicaciones

Aplicaciones de conmutación de alta corriente

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Número de pieza	Paquete
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STP65N150M9	A-220-3
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STD80N240K6	A-252-3
STW75N65DM6-4	A-247-3
STWA70N65DM6	A-247-3
STFW8N120K5	A-3PF
STO65N60DM6	8-PoderSFN
SCTWA20N120	A-247-3
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STB30N65DM6AG	A-263-3
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SCTWA35N65G2VAG	A-247-3
STPSC10H12CWL	A-247-3
STPSC20065WY	DO-247-2
STPSC30H12CWL	A-247-3

Preguntas frecuentes

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Sí, todos los productos son originales, nuestro propósito es importar nuevos originales.

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Somos Empresa Certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.

¿Pueden admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?

Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.

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RUBY

Canada Mar 31.2026

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