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W66DP2RQQAGJ Chip de memoria IC 8Gbit LPDDR4X SDRAM con una frecuencia de reloj de 1.866 GHz y una organización de 256M x 32

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
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—— Nishikawa de Japón

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W66DP2RQQAGJ Chip de memoria IC 8Gbit LPDDR4X SDRAM con una frecuencia de reloj de 1.866 GHz y una organización de 256M x 32

W66DP2RQQAGJ Chip de memoria IC 8Gbit LPDDR4X SDRAM con una frecuencia de reloj de 1.866 GHz y una organización de 256M x 32
W66DP2RQQAGJ Chip de memoria IC 8Gbit LPDDR4X SDRAM con una frecuencia de reloj de 1.866 GHz y una organización de 256M x 32

Ampliación de imagen :  W66DP2RQQAGJ Chip de memoria IC 8Gbit LPDDR4X SDRAM con una frecuencia de reloj de 1.866 GHz y una organización de 256M x 32

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: W66DP2RQQAGJ
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TFBGA-200
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental
Contacto

W66DP2RQQAGJ Chip de memoria IC 8Gbit LPDDR4X SDRAM con una frecuencia de reloj de 1.866 GHz y una organización de 256M x 32

Descripción
Número de pieza: W66DP2RQQAGJ Tecnología: SDRAM - LPDDR4X móvil
Tamaño de la memoria: 8Gbits Organización de la memoria: 256M x 32
Frecuencia del reloj: 1,866 gigahertz Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 105°C (TC)

Memoria IC combinada TFBGA-200 del chip IC de memoria 8Gbit LPDDR4/LPDDR4X de W66DP2RQQAGJ
Descripción general del producto

W66DP2RQQAGJ es una memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona (SDRAM) combinada LPDDR4/LPDDR4X. Utiliza una arquitectura de 2 o 4 relojes en el bus Comando/Dirección (CA) para reducir la cantidad de pines de entrada en el sistema. El bus CA de 6 bits contiene comandos, direcciones e información bancaria. Cada comando utiliza 1, 2 o 4 ciclos de reloj, durante los cuales la información del comando se transfiere en el flanco positivo del reloj.

Especificaciones técnicas
Tipo de memoria Volátil
Formato de memoria DRACMA
Tecnología SDRAM - Móvil LPDDR4X
Tamaño de la memoria 8Gbits
Organización de la memoria 256M x 32
Interfaz de memoria LVSTL_06
Frecuencia del reloj 1,866GHz
Tiempo de ciclo de escritura: Word, página 18ns
Tiempo de acceso 3,5 segundos
Tensión - Suministro 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Estuche 200-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 200 TFBGA (10x14,5)
Características clave
  • Fuente de alimentación (VDD1, VDD2, VDDQ):
    • VDD1: 1,70 V ~ 1,95 V; 1,8 V típico
    • VDD2: 1,06 V ~ 1,17 V; 1,1 V típico
    • VDDQ: 1,06 V ~ 1,17 V; 1,1 V típico (para LPDDR4)
    • VDDQ: 0,57 V ~ 0,65 V; 0,6 V típico (para LPDDR4X)
  • Ancho de datos: x16/x32
  • Velocidad de reloj: hasta 2133 MHz
  • Velocidad de datos: hasta 4267 Mbps
  • 8 bancos internos para operación concurrente
  • Operación de búsqueda previa 16n
  • Interfaz:
    • LVSTL_11 (Para LPDDR4)
    • LVSTL06 (Para LPDDR4X)
  • Longitud de ráfaga: 16, 32, sobre la marcha 16 o 32
  • Tipo de ráfaga: Secuencial
  • Fuerza del controlador programable
  • Entrada de comando codificada en flancos de doble reloj
  • Arquitectura de velocidad de datos única en el bus CA
  • Arquitectura de doble velocidad de datos en los pines DQ
  • Entrada de reloj diferencial
  • Luz estroboscópica de datos diferencial bidireccional
  • Parada del reloj de entrada y cambio de frecuencia.
  • Terminación en matriz (ODT)
  • Soporte de nivelación de escritura
  • Latencias de lectura y escritura programables (RL/WL)
  • Soporte de capacitación de CA
  • Formación DQ-DQS
  • Función de actualización:
    • Actualización automática (por banco/todos los bancos)
    • Actualización automática de matriz parcial
    • Autoactualización con compensación de temperatura automática
  • Reparación posterior al paquete
  • Modo de actualización de fila de destino
  • Puntos de ajuste de frecuencia para cambio de frecuencia rápido
  • Admite máscara de escritura e inversión de bus de datos (DBI)
  • Admite CK y DQS de un solo extremo
  • Admite búfer CA de baja velocidad
  • Rango de temperatura de funcionamiento: -40°C ≤ TCASE ≤ 105°C
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Preguntas frecuentes
P. ¿Son sus productos originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nuestro propósito es importar nuevos originales.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Pueden admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?
R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
P: ¿Cómo enviar mi pedido? ¿Es seguro?
R: Utilizamos envíos urgentes, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos utilizar el reenviador sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.
P: ¿Qué pasa con el plazo de entrega?
R: Podemos enviar piezas en stock dentro de los 5 días hábiles. Si no hay stock, le confirmaremos el tiempo de entrega según la cantidad de su pedido.

etiqueta:

PALADIO 3,

0 MPQ5031 DEL USB,

Regulador QFN20 del paladio del USB

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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