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BSC021N08NS5 Transistor MOSFET de potencia OptiMOS™ de canal N de 80 V con corriente de drenaje continuo de 226 A en paquete SuperSO8

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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BSC021N08NS5 Transistor MOSFET de potencia OptiMOS™ de canal N de 80 V con corriente de drenaje continuo de 226 A en paquete SuperSO8

BSC021N08NS5 Transistor MOSFET de potencia OptiMOS™ de canal N de 80 V con corriente de drenaje continuo de 226 A en paquete SuperSO8
BSC021N08NS5 Transistor MOSFET de potencia OptiMOS™ de canal N de 80 V con corriente de drenaje continuo de 226 A en paquete SuperSO8

Ampliación de imagen :  BSC021N08NS5 Transistor MOSFET de potencia OptiMOS™ de canal N de 80 V con corriente de drenaje continuo de 226 A en paquete SuperSO8

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: BSC021N08NS5
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: PG-TSON-8-3
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental
Contacto

BSC021N08NS5 Transistor MOSFET de potencia OptiMOS™ de canal N de 80 V con corriente de drenaje continuo de 226 A en paquete SuperSO8

Descripción
Número de pieza: BSC021N08NS5 Drenaje a voltaje de fuente (Vdss): Las demás:
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C: 226A (Tc) Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado): 6V, 10V
Disipación de potencia (Max): 214W (Tc) 214W (Tc): ±20V

BSC021N08NS5 Chip de circuito integrado de 80V OptiMOS TM Transistores MOSFET de potencia de canal N
BSC021N08NS5 Chip de circuito integrado de 80V OptiMOS TM Transistores MOSFET de potencia de canal N
Descripción del producto
BSC021N08NS5 Los MOSFET OptiMOSTM en el paquete SuperSO8 amplían la cartera de productos OptiMOSTM 3 y 5 y permiten una mayor densidad de potencia además de una mayor robustez,responder a la necesidad de reducir el coste del sistema y aumentar el rendimientoLa baja carga de recuperación inversa (Qrr) mejora la confiabilidad del sistema al proporcionar una reducción significativa del exceso de voltaje, lo que reduce al mínimo la necesidad de circuitos snubber.lo que resulta en menos costos de ingeniería y esfuerzo.
Especificaciones técnicas
Polaridad del transistor: N-canal
Número de canales: 1 Canal
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: Las demás:
Id - Corriente de drenaje continua: 100 A
Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: 2.1 mOhms
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta: -20 V, 20 V
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta: 2.2 V
Qg - Carga de la puerta: 117 después de Cristo
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento: +175 °C
Pd - Disposición de energía: 214 W
Modo de canal: Mejoramiento
Configuración: No casado
Tiempo de caída: 20 ns
Transconductividad hacia adelante - Min: 70 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de ascenso: 17 ns
Tipo de transistor: 1 canal N
Tiempo de retraso típico de apagado: 44 ns
Tiempo típico de retraso de encendido: 13 ns
Peso unitario: 20 mg y más
Características clave
  • Optimizado para rectificación sincrónica en servidor y escritorio
  • Prueba de avalancha del 100%
  • Resistencia térmica superior
  • N-canal
  • 175 °C de temperatura nominal
  • Revestimiento con plomo libre de Pb; conforme a la Directiva RoHS
  • Sin halógenos de acuerdo con la norma IEC 61249-2_21
Aplicaciones
  • Válvula de tensión media IBC (48 V)
  • Computación de borde
  • Infraestructuras de telecomunicaciones
  • Soluciones de suministro de energía para trenes DIN
Tipo de producto relacionado
Número de la parte Paquete
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad. 64-TQFP
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción. 64 LQFP
Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad. 64 LQFP
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad. 64 LQFP
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad. 100 LQFP
Se aplicará el método siguiente: 100 LQFP
Se aplicará el método de ensayo de las pruebas de seguridad. 64 LQFP
CY8C4149LDAS563 y sus derivados No incluye:
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción. No incluye:
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción. No incluye:
Los animales de las especies descritas en el anexo I se consideran animales de la especie de la subespecie II. Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leucina.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Se trata de un proyecto de investigación.
En el caso de las personas que se encuentran en el lugar de trabajo. Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
En el caso de los vehículos de la categoría M1, el valor de los valores de los vehículos de la categoría M2 es el valor de los valores de los vehículos de la categoría M3. Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD30N10S3L34 Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad de los productos. Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.
El número de unidades de producción es el siguiente: Se aplicará a los productos de la categoría 1 del anexo I.
IR38060MGM18TRP No incluye:
En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones: Las condiciones de los productos
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. 176-LQFP
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Modulo
Se aplicará el procedimiento siguiente: Modulo
Las condiciones de los datos de los datos de los Estados miembros son las siguientes: No incluye:
No obstante, los Estados miembros deben tener en cuenta los requisitos de seguridad establecidos en el presente Reglamento. 10-SOP
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán autorizar el uso de las mismas. No incluye:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. No se aplican las disposiciones de la Directiva 2008/57/CE.
NCP13992AKDR2G 16-SOIC
NCP13992ANDR2G. No incluye el nombre de la entidad. 16-SOIC
NCP13992CADR2G 16-SOIC
Las condiciones de los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión No incluye:
Preguntas frecuentes
P: ¿Sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede apoyar el pedido de pequeña cantidad o la muestra? ¿Es la muestra gratuita?
R: Sí, apoyamos el pedido de muestras y el pedido pequeño. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
¿Cómo envío mi pedido? ¿Es seguro?
R: Utilizamos el expreso para el envío, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar el transportista sugerido.Los productos estarán en buen embalaje y garantizar la seguridad y somos responsables de los daños del producto a su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas de stock dentro de 5 días laborables. Si no hay stock, confirmaremos el tiempo de entrega para usted en función de la cantidad de su pedido.

etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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