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Transistor MOSFET de potencia SPB17N80C3 con voltaje de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 17 A y tecnología CoolMOS™

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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Transistor MOSFET de potencia SPB17N80C3 con voltaje de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 17 A y tecnología CoolMOS™

Transistor MOSFET de potencia SPB17N80C3 con voltaje de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 17 A y tecnología CoolMOS™
Transistor MOSFET de potencia SPB17N80C3 con voltaje de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 17 A y tecnología CoolMOS™

Ampliación de imagen :  Transistor MOSFET de potencia SPB17N80C3 con voltaje de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 17 A y tecnología CoolMOS™

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: El número de unidades de producción será el siguiente:
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-263-3
Tiempo de entrega: 3-5 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000 piezas por día
Contacto

Transistor MOSFET de potencia SPB17N80C3 con voltaje de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 17 A y tecnología CoolMOS™

Descripción
Número de pieza: El número de unidades de producción será el siguiente: Drenaje a voltaje de fuente (Vdss): Las demás:
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C: 17A (Tc) Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado): 10V
Vgs (máximo): ±20V Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C (TJ)

SPB17N80C3 Chip de circuito integrado de canal N 800V 17A CoolMOS TM Transistores MOSFET de potencia
Descripción del producto

El SPB17N80C3 es un transistor MOSFET de potencia CoolMOSTM de N-Channel 800V 17A en el paquete TO-263-3.

Especificaciones
Polaridad del transistorN-canal
Número de canales1 Canal
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenajeLas demás:
Id - Corriente de drenaje continua17 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje290 mOhms
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta-20 V, 20 V
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta2.1 V
Qg - Carga de la puerta88 después de Cristo
Temperatura mínima de funcionamiento-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento+ 150 °C
Pd - Disposición de energía227 W
Modo de canalMejoramiento
ConfiguraciónNo casado
Tiempo de otoño12 ns
Tipo de productoMOSFETs
Es hora de levantarse15 ns
Tipo de transistor1 canal N
Tiempo de retraso típico de apagado72 ns
Tiempo de retraso típico de encendido25 ns
Peso de la unidad4 gramos
Características clave
  • Nueva tecnología revolucionaria de alta tensión
  • Nombrado para dv/dt extremo
  • Capacidad de corriente de pico alta
  • Calificado de acuerdo con el JEDEC para aplicaciones específicas
  • Revestimiento con plomo libre de Pb; conforme a la Directiva RoHS
  • Carga de puerta muy baja
  • Capacidades efectivas muy bajas
Aplicaciones
  • Aplicación industrial con alta tensión de granel de CC
  • Aplicación de conmutación (es decir, sujeción activa hacia adelante)
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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos.14-TSSOP
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Preguntas frecuentes
¿Sus productos son originales?
Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.
¿Qué certificados tiene?
Somos una empresa certificada ISO 9001: 2015 y miembro de ERAI.
¿Puede apoyar el pedido de pequeñas cantidades o la muestra? ¿La muestra es gratuita?
Sí, apoyamos el pedido de muestras y el pedido pequeño. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
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Utilizamos el expreso para el envío, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar el transportista sugerido.Los productos estarán en buen embalaje y garantizar la seguridad y somos responsables de los daños del producto a su pedido.
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Podemos enviar piezas de stock dentro de 5 días laborables. Si no hay stock, confirmaremos el tiempo de entrega para usted basado en la cantidad de su pedido.

etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

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