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Transistor MOSFET de canal N PSMN2R4-30YLD con 30V de drenaje a la fuente de voltaje 2.4mΩ Rds encendido y corriente de drenaje continua de 100A

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Transistor MOSFET de canal N PSMN2R4-30YLD con 30V de drenaje a la fuente de voltaje 2.4mΩ Rds encendido y corriente de drenaje continua de 100A

Transistor MOSFET de canal N PSMN2R4-30YLD con 30V de drenaje a la fuente de voltaje 2.4mΩ Rds encendido y corriente de drenaje continua de 100A
Transistor MOSFET de canal N PSMN2R4-30YLD con 30V de drenaje a la fuente de voltaje 2.4mΩ Rds encendido y corriente de drenaje continua de 100A

Ampliación de imagen :  Transistor MOSFET de canal N PSMN2R4-30YLD con 30V de drenaje a la fuente de voltaje 2.4mΩ Rds encendido y corriente de drenaje continua de 100A

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: PSMN2R4-30YLD
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: SOT-669-5
Tiempo de entrega: 3-5 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000 piezas por día

Transistor MOSFET de canal N PSMN2R4-30YLD con 30V de drenaje a la fuente de voltaje 2.4mΩ Rds encendido y corriente de drenaje continua de 100A

Descripción
Número de pieza: PSMN2R4-30YLD Drenaje a voltaje de fuente (Vdss): 30 voltios
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C: 100A (Tc) Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado): 4.5V y 10V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (máximo) @ Id: 2,2 V a 1 mA

Chip de circuito integrado PSMN2R4-30YLD de canal N 30V 2.4mΩ Transistores MOSFET de nivel lógico
Resumen del producto

PSMN2R4-30YLD MOSFET de modo de mejora de N-canal con conducción de puerta de nivel lógico en el paquete LFPAK56.bajo rendimiento de picado generalmente asociado con los MOSFET con un diodo integrado Schottky o similar a Schottky, pero sin corriente de alta fuga problemáticaNextPowerS3 es particularmente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.

Especificaciones técnicas
Parámetro Valor
Polaridad del transistor N-canal
Número de canales 1 Canal
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje 30 V
Id - Corriente de drenaje continua 100 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje 2.4 mOhms
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta -20 V, 20 V
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta 1.2 V
Qg - Carga de la puerta 31.3 nC
Temperatura mínima de funcionamiento -55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento +175 °C
Pd - Disposición de energía 106 W
Modo de canal Mejoramiento
Configuración No casado
Tiempo de otoño 13.9 ns
Tipo de producto MOSFETs
Es hora de levantarse 27.5 ns
Tipo de transistor 1 canal N
Tiempo de retraso típico de apagado 17.4 ns
Tiempo de retraso típico de encendido 16.3 ns
Parte # Alias 934067965115
Peso de la unidad 91.420 mg
Características clave
  • QG, QGD y QOSS ultrabajos para una alta eficiencia del sistema, especialmente a frecuencias de conmutación más altas
  • Conmutación súper rápida con recuperación suave; factor s > 1
  • Bajo nivel de picado y de sonido para diseños de baja EMI
  • Tecnología única "SchottkyPlus"; funcionamiento similar al de Schottky con una fuga de < 1μA a 25 °C
  • Optimizado para el accionamiento de puertas de 4,5 V
  • Baja inductancia y resistencia parasitaria
  • Envase Power SO8 de alta fiabilidad, sin pegamento ni alambre, calificado a 175 °C
  • Soldado en onda; conductos expuestos para una inspección óptima de la soldadura visual
Aplicaciones
  • Soluciones integradas de CC a DC para servidores y telecomunicaciones
  • Rectificación sincrónica de lado secundario en aplicaciones de telecomunicaciones
  • Modulos de regulación de tensión (VRM)
  • Modulos de punto de carga (POL)
  • Entrega de energía para V-core, ASIC, DDR, GPU, VGA y componentes del sistema
  • Control del motor con y sin cepillo
Productos relacionados
Número de la parte Paquete
R7S910007CBA Las demás:
R7S910026CBA, incluidos los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes Las demás:
R7S910027CBA, incluidos los demás Las demás:
R7S910025CBA, incluidas las sustancias enumeradas en el anexo II Las demás:
R7S910036CBA, incluidos los demás Las demás:
R7S910028CBA, incluidos los demás Las demás:
R7S910015CBA, incluidos los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes Las demás:
R7S910016CBA, incluidos los componentes de los demás componentes Las demás:
El número de unidades de producción será el siguiente: Las demás:
R7S910017CBA, incluido el R7S910017 Las demás:
Preguntas frecuentes
¿Sus productos son originales?

Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.

¿Qué certificados tiene?

Somos una empresa certificada ISO 9001: 2015 y miembro de ERAI.

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Podemos enviar piezas de stock dentro de 5 días laborables. Si no hay stock, confirmaremos el tiempo de entrega para usted basado en la cantidad de su pedido.

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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Fax: 86-0755-83957753

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