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IPA60R125CP 650V CoolMOS TM Transistor MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 25A

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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IPA60R125CP 650V CoolMOS TM Transistor MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 25A

IPA60R125CP 650V CoolMOS TM Transistor MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 25A
IPA60R125CP 650V CoolMOS TM Transistor MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 25A

Ampliación de imagen :  IPA60R125CP 650V CoolMOS TM Transistor MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 25A

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IPA60R125CP
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: PG-TO220-3
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental

IPA60R125CP 650V CoolMOS TM Transistor MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 25A

Descripción
Número de pieza: IPA60R125CP Drenaje a voltaje de fuente (Vdss): 650 V
Tipo FET: N-canal Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C: 25A (Tc)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Disipación de potencia (Max): 35W (Tc)

Transistores PG-TO220-3 del MOSFET del poder del canal N del chip 650V CoolMOS™ del circuito integrado IPA60R125CP
Descripción general del producto

IPA60R125CP es un MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento de la serie CoolMOS™ CP, diseñado específicamente para aplicaciones de conversión de energía que requieren alta eficiencia.

Especificaciones técnicas
Parámetro Valor
Tecnología Si
Estilo de montaje A través del agujero
Paquete / Estuche TO-220FP-3
Polaridad del transistor Canal N
Número de canales 1 canal
Vds - Voltaje de ruptura drenaje-fuente 600 voltios
Id - Corriente de drenaje continua 25 A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente 110 mOhmios
Vgs - Voltaje puerta-fuente -20V, 20V
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente 2,5 voltios
Qg - Carga de puerta 70 nC
Temperatura mínima de funcionamiento -55 ℃
Temperatura máxima de funcionamiento +150℃
Pd - Disipación de potencia 35W
Características clave
  • Detector de RF de diodo Schottky interno con compensación de temperatura
  • Amplio rango de potencia de entrada: -34 dBm a 14 dBm
  • Rango de frecuencia de entrada ultra amplio: 100 kHz a 1000 MHz
  • Salida almacenada en búfer
  • Amplio rango VCC de 2,7 V a 6 V
  • Corriente de funcionamiento baja: 550 µA
  • Corriente de apagado baja: <2 µA
  • Paquete ThinSOT™ de perfil bajo (1 mm)
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Número de pieza Paquete
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Preguntas frecuentes
P. ¿Son sus productos originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nuestro propósito es importar nuevos originales.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Pueden admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?
R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
P: ¿Cómo enviar mi pedido? ¿Es seguro?
R: Utilizamos envíos urgentes, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos utilizar el reenviador sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.
P: ¿Qué pasa con el plazo de entrega?
R: Podemos enviar piezas en stock dentro de los 5 días hábiles. Si no hay stock, le confirmaremos el tiempo de entrega según la cantidad de su pedido.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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